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전자조사와 어닐링에 의한 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합특성 변환 방법

  • 기술번호 : KST2014033040
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법에 관한 것으로서, 반도체 소자에 500 keV 이하의 에너지를 갖는 전자를 1×1016 ~ 1×1020 e/cm2 의 조사량으로 조사하는 단계; 및 상기 전자가 조사된 반도체 소자를 수소 또는 질소의 분위기에서 300 ~ 700 ℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하여, 상기 반도체 소자의 광학적 특성을 간접형에서 직접형으로 변환시키고, 소수캐리어 재결합특성을 빠르게 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 반도체 소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법을 태양전지, 전력반도체소자, 발광소자와 수광소자에 적용시켜 광흡수특성을 변화시킴으로써 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 발광 및 수광소자의 발광 및 수광 특성을 향상시킬 수 있다.전자조사 어닐링
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/263 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 21/3242(2013.01) H01L 21/3242(2013.01) H01L 21/3242(2013.01)
출원번호/일자 1020020008331 (2002.02.16)
출원인 학교법인대우학원, 스미주 시껜 켄사 가부시끼가이샤
등록번호/일자 10-0459505-0000 (2004.11.22)
공개번호/일자 10-2003-0068734 (2003.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20041203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인대우학원 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 스미주 시껜 켄사 가부시끼가이샤 일본 일본국 에이메켄 토요시 이마자이케 *

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조중열 대한민국 경기도성남시분당구
2 김효진 대한민국 경기도수원시팔달구
3 니시하라요시아끼 일본 일본국에이메켄

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조현실 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, 한라클래식빌딩 *층 (역삼동)(한성국제특허법률사무소)
2 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인대우학원 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 스미주 시껜 켄사 가부시끼가이샤 일본 일본국 에이메켄 토요시 이마자이케 *
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0046546-34
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0094268-21
3 의견서
Written Opinion		 2004.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0179551-17
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0179553-19
5 등록결정서
Decision to grant		 2004.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0423179-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2005-5001818-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.07 수리 (Accepted) 4-1-2019-5089074-11
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번호 청구항
1 1

반도체소자에 500 keV 이하의 에너지를 갖는 전자를 1×1016 ~ 1×1020 e/cm2 의 조사량으로 조사하는 단계; 및

상기 전자가 조사된 반도체소자를 수소 또는 질소분위기에서 300 ~ 700 ℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 변환방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 반도체소자는 정질 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 변환방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 반도체소자는 제1 및 제2 pn 접합이 직렬로 연결된 태양전지이고, 상기 조사단계에서는 제1 pn 접합 부위에 전자를 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 변환방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 반도체소자는 발광소자인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 변환방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 반도체소자는 수광소자인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 변환방법

6 6

제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 전자조사 및 어닐링단계는 수소 플라즈마 체임버 내부에서 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 변환방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.