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염료분자가 흡착된 Sb2O4
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제 1항에 있어서, 상기 안티몬 산화물 입자의 크기가 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 반도체 전극
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안티몬 산화물 또는 안티몬 염화물, 과산화수소 수용액, 및 계면활성제를 혼합하여 수화된 안티몬 산화물을 합성하는 단계;수화된 안티몬 산화물에 바인더를 혼합하고, 밀링하여 페이스트를 제조하는 단계;전도성 투명기판 위에 상기 페이스트를 도포한 후, 열처리하여 안티몬 산화물 입자 층을 형성하는 단계 및상기 전도성 투명기판을 염료에 침지하는 단계를 포함하는 안티몬 반도체 전극 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 안티몬 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 안티몬 염화물은 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 안티몬 산화물 입자 층을 형성하는 단계 이후, 전도성 투명기판을 Mg2+, Ca2+, Sr2+, Zr4+, Y3+, Zn2+, Al3+, Ga3+, In3+, Si2+, Ge2+, Sn2+, Pb2+, 및 Bi3+ 로 이루어진 군에서 1종 이상 선택된 이온을 포함하는 용액에 담지한 후, 열처리하여, 복합 금속 입자 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 계면 활성제는 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 에탄올아민(ethanolamine) 또는 트리에틸아민(triethylamine)인 것을 특징으로 하는 반도체 전극 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 바인더는 에틸셀루로우즈(ethylcellurose), 터피놀(terpinol), 폴리에틸렌글리콜(PEG) 또는 트리톤 X-100 (Triton X-100, (C2H4O)nC14H22O) 인 것을 특징으로 하는 반도체 전극 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 염료는 bis(tetrabutylammonium)-cis-(dithiocyanato)-N,N'-bis(4-carboxylato-4'-carboxylic acid-2,2'-bipyridine)ruthenium(Ⅱ), cis-dithiocyanatobis(4,4-dicarboxylic acid-2,2-bipyridine)ruthenium(Ⅱ), Black dye, Coumarin dye, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 전극 제조 방법
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