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전자저장 소자 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2014033176
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전하저장 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막, 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막, 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 전하저장 소자 및 그의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 동일한 혼합가스를 이용하여 전하 저장막 및 블로킹 절연막을 형성함으로써 제조공정을 단순화시켜 메모리 소자의 제조단가를 낮출 수 있고, 밴드갭 에너지 차이에 의해 전하를 저장하는 방법과 트랩에 의하여 전하를 저장하는 방법을 모두 사용함으로써 전하저장 특성을 향상시킬 수 있다. 전하저장, 소자, 터널링, 밴드갭, 트랩
Int. CL	H01L 21/8247 (2006.01)
CPC	H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01)
출원번호/일자	1020080085716 (2008.09.01)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1104090-0000 (2012.01.03)
공개번호/일자	10-2010-0026639 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자	(20120112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.09.01)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이준신	대한민국	서울특별시 서초구
2	손혁주	대한민국	인천광역시 남구
3	정성욱	대한민국	경기도 수원시 권선구
4	김재홍	대한민국	경기도 성남시 수정구
5	조재현	대한민국	경기도 수원시 장안구
6	장경수	대한민국	서울특별시 서대문구
7	허종규	대한민국	경기도 하남시 대청로 **,

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인정직과특허	대한민국	서울 강남구 선릉로 **(논현동, 썬라이더빌딩 층)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.09.01	수리 (Accepted)	1-1-2008-0620487-65
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.06.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0247148-03
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.08.09	수리 (Accepted)	1-1-2010-0511933-52
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.08.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0511937-34
5	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2010.12.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0595185-00
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2011.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0137333-39
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.03.25	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2011-0219400-02
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.03.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0219398-97
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2011.09.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0560172-32
10	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2011.11.29	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2011-0046259-31
11	등록결정서 Decision to grant	2011.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0753033-76
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판; 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막; 상기 터널링 절연막 상에 형성되고, 상기 터널링 절연막을 통과한 전하를 저장하며, 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막; 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막; 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하고, 상기 기판은 유리기판이고, 상기 전하 저장막 및 블로킹 절연막은 350℃ 이하의 온도에서 형성되되, 상기 전하 저장막과 상기 블로킹 절연막의 밴드갭 차를 이용하여 전하를 저장하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장막 및 상기 블로킹 절연막은 혼합가스의 조성비를 달리하여 형성된 것을 특징으로 하는 전하저장 소자
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 혼합가스는 실란(SiH4) 가스 및 암모니아(NH3) 가스를 혼합한 가스인 것을 특징으로 하는 전하저장 소자
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 실란(SiH4) 가스 및 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비는 6:1 내지 6:60인 것을 특징으로 하는 전하저장 소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제1밴드갭 에너지는 상기 제2밴드갭 에너지보다 작은 것을 특징으로 하는 전하저장 소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장막 및 상기 블로킹 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 전하저장 소자
7	7 기판 상에 터널링 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널링 절연막 상에 제1밴드갭 에너지를 구비하며 상기 터널링 절연막을 통과한 전하를 저장하기 위한 전하 저장막을 형성하는 단계; 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 종류의 혼합가스로 형성되고, 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 블로킹 절연막 상에 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 기판은 유리기판이고, 상기 전하 저장막 및 블로킹 절연막은 350℃ 이하의 온도에서 형성된 것을 특징으로 하되, 상기 전하 저장막과 상기 블로킹 절연막의 밴드갭 차를 이용하여 전하를 저장하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 전하 저장막 및 상기 블로킹 절연막은 혼합가스의 조성비를 달리하여 형성된 것을 특징으로 하는 전하저장 소자의 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 혼합가스는 실란(SiH4) 가스 및 암모니아(NH3) 가스를 혼합한 가스인 것을 특징으로 하는 전하저장 소자의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 실란(SiH4) 가스 및 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비는 6:1 내지 6:60인 것을 특징으로 하는 전하저장 소자의 제조방법
11	11 제 9 항에 있어서, 상기 제1밴드갭 에너지는 상기 제2밴드갭 에너지보다 작은 것을 특징으로 하는 전하저장 소자의 제조방법
12	12 제 9 항에 있어서, 상기 전하 저장막 및 상기 블로킹 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 전하저장 소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1104090-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080901 출원 번호 : 1020080085716 공고 연월일 : 20120112 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111220 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 전하저장 소자 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170104

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2012년 01월 04일	납입
제 4 년분	금 액	212,800 원	2014년 12월 31일	납입
제 5 년분	금 액	212,800 원	2015년 12월 30일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.09.01	수리 (Accepted)	1-1-2008-0620487-65
2	의견제출통지서	2010.06.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0247148-03
3	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.08.09	수리 (Accepted)	1-1-2010-0511933-52
4	[명세서등 보정]보정서	2010.08.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0511937-34
5	최후의견제출통지서	2010.12.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0595185-00
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2011.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0137333-39
7	[명세서등 보정]보정서	2011.03.25	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2011-0219400-02
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.03.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0219398-97
9	거절결정서	2011.09.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0560172-32
10	명세서 등 보정서(심사전치)	2011.11.29	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2011-0046259-31
11	등록결정서	2011.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0753033-76
12	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
13	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
14	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
15	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


기술번호	KST2014033176
자료제공기관	NTB
기술공급기관	성균관대학교
기술명	전자저장 소자 및 그의 제조방법
기술개요	본 발명은 전하저장 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막, 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막, 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 전하저장 소자 및 그의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 동일한 혼합가스를 이용하여 전하 저장막 및 블로킹 절연막을 형성함으로써 제조공정을 단순화시켜 메모리 소자의 제조단가를 낮출 수 있고, 밴드갭 에너지 차이에 의해 전하를 저장하는 방법과 트랩에 의하여 전하를 저장하는 방법을 모두 사용함으로써 전하저장 특성을 향상시킬 수 있다. 전하저장, 소자, 터널링, 밴드갭, 트랩
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	전자저장 소자
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415091561
세부과제번호	2006-N-CT-HM-E-01-0000
연구과제명	태양광특성화대학원
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	성균관대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200608~201107
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

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[1020080010269]	[염료감응형 태양전지]스퍼터링 공정을 이용한 탄소 상대전극 제조 기술	새창보기
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[1020070005620]	산소질화알루미늄 계면층을 갖는 유기 발광 소자 및 그제조방법	새창보기

중요키워드

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2011101008353	2011원8353	2008년 특허출원 제0085716호 거절결정불복	2011.10.31	2011.12.20

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