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1
제1 금속층, 상기 제1 금속층과 이격 배치된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 입력단;상기 입력단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 입력단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 중간단;상기 중간단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 중간단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 출력단; 및상기 제1 금속층 외측에 배치된 제1 수직 변환단 및 제2 금속층 외측에 배치된 제2 수직 변환단을 포함하는 금속 수직 변환단을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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2
제1 금속층, 상기 제1 금속층과 이격 배치된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 입력단;상기 입력단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 입력단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 중간단;상기 중간단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 중간단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 출력단; 및상기 제1 금속층 및 제2 금속층 길이방향의 우측에 배치되는 제1 측면 변환단 및 제1 금속층 및 제2 금속층 길이방향의 좌측에 배치되는 제2 측면 변환단을 포함하는 금속 측면 변환단을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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3
제1 금속층, 상기 제1 금속층과 이격 배치된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 입력단;상기 입력단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 입력단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 중간단;상기 중간단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 중간단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 출력단; 상기 제1 금속층 외측에 배치된 제1 수직 변환단 및 제2 금속층 외측에 배치된 제2 수직 변환단을 포함하는 금속 수직 변환단; 및상기 제1 금속층 및 제2 금속층 길이방향의 우측에 배치되는 제1 측면 변환단 및 제1 금속층 및 제2 금속층 길이방향의 좌측에 배치되는 제2 측면 변환단을 포함하는 금속 측면 변환단을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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| 4 |
4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 금속층 및 제2 금속층의 중간단은 출력단 방향으로 갈수록 폭이 좁아지는 평면형상, 입력단 및 출력단과 폭이 같은 평면형상 또는 출력단 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 평면형상 중 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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| 5 |
5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 입력단의 경우, 폭은 0
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| 6 |
6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중간단의 경우, 폭은 0
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7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 출력단의 경우, 폭은 0
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| 8 |
8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 금속층 및 제2 금속층은 귀금속 및 천이금속(transition metal)으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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| 9 |
9
제1항 또는 제3항에서,상기 금속 수직 변환단은 귀금속 및 천이금속(transition metal)으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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10
제2항 또는 제3항에서,상기 금속 측면 변환단은 귀금속 및 천이금속(transition metal)으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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11
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 유전체층은 규소(Si), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4) 및 폴리머(Polymer)로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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| 12 |
12
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 수직 변환단은 상기 제1 금속층과 접촉되어 있고, 상기 제2 수직 변환단은 상기 제2 금속층과 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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| 13 |
13
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 수직 변환단은 상기 중간단의 금속층 외측에 배치되는 것으로, 중간단 금속층의 길이방향으로 연장되는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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14
제13항에 있어서,상기 금속 수직 변환단의 길이는 최소 0
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15
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 측면 변환단은 상기 제1 금속층 및 제2 금속층과 접촉되어 있고, 상기 제2 측면 변환단은 상기 제1 금속층 및 제2 금속층과 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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16
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 측면 변환단은 상기 제1 금속층 및 제2 금속층과 이격 배치되고, 상기 제1 측면 변환단과 상기 제1 금속층 간의 이격된 공간에 유전체층이 배치되고, 상기 제1 측면 변환단과 상기 제2 금속층 간의 이격된 공간에 유전체층이 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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17
제16항에 있어서,상기 제1 측면 변환단과 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 간의 이격 거리는 0
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18
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제2 측면 변환단은 상기 제1 금속층 및 제2 금속층과 이격 배치되고, 상기 제2 측면 변환단과 상기 제1 금속층 간의 이격된 공간에 유전체층이 배치되고, 상기 제2 측면 변환단과 상기 제2 금속층 간의 이격된 공간에 유전체층이 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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19
제18항에 있어서,상기 제2 측면 변환단과 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 간의 이격 거리는 0
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20
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 측면 변환단은 상기 중간단의 금속층 측면에 배치되는 것으로, 상기 중간단의 금속층 길이방향으로 연장되는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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21
제20항에 있어서,상기 금속 측면 변환단의 길이는 최소 0
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22
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 측면 변환단은 상기 중간단의 금속층 및 상기 출력단의 금속층 측면에 배치되는 것으로, 상기 중간단의 금속층 측면의 일지점부터 상기 출력단의 금속층 측면의 타지점까지 상기 금속층의 길이방향으로 연장되는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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23
제22항에 있어서,상기 금속 측면 변환단의 길이는 최소 0
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 측면 변환단은 상기 입력단의 금속층 및 상기 중간단의 금속층 측면에 배치되는 것으로, 상기 입력단의 금속층 측면의 일지점부터 상기 중간단의 금속층 측면의 타지점까지 상기 금속층의 길이방향으로 연장되는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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25
제24항에 있어서,상기 금속 측면 변환단의 길이는 최소 0
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26
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 측면 변환단은 상기 입력단의 금속층, 상기 중간단의 금속층 및 상기 출력단의 금속층 측면에 배치되는 것으로, 상기 입력단의 금속층 측면의 일지점부터 상기 출력단의 금속층 측면의 타지점까지 상기 금속층의 길이방향으로 연장되는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자
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27
제26항에 있어서,상기 금속 측면 변환단의 길이는 최소 0
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28
나노 플라즈몬 집적회로 모듈에 있어서,내측 및 외측에 유전체층이 형성된 제1 금속층 및 제1 금속층의 상하 외측에 배치된 유전체층이 구비된 IMI형 구조를 갖는 입력단, 상기 입력단의 제1 금속층이 연장형성된 제1 금속층, 상기 제1 금속층과 이격 배치된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI형 구조를 갖는 중간단 및상기 중간단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 중간단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 출력단을 포함하는 집광 소자; 및제1 금속층, 상기 제1 금속층과 이격 배치된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 입력단, 상기 입력단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 입력단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 중간단 및상기 중간단의 제1 금속층이 연장 형성된 제1 금속층, 상기 중간단의 제2 금속층이 연장 형성된 제2 금속층, 상기 제1 금속층의 외측에 배치된 유전체층, 상기 제2 금속층의 외측에 배치된 유전체층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간의 이격된 내측 공간에 배치된 유전체층으로 구성된 IMIMI 구조를 갖는 출력단, 상기 제1 금속층 외측에 배치된 제1 수직 변환단 및 제2 금속층 외측에 배치된 제2 수직 변환단을 포함하는 금속 수직 변환단 및 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 길이방향의 우측에 배치되는 제1 측면 변환단 및 제1 금속층 및 제2 금속층 길이방향의 좌측에 배치되는 제2 측면 변환단을 포함하는 금속 측면 변환단을 포함하는 모드 변환 소자를 포함하되,상기 집광 소자의 중간단은 출력단 방향으로 갈수록 폭이 좁아지는 평면형상을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈몬 집적회로 모듈
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