| 1 |
1
a) 불활성 기체 분위기 하에서 하기 화학식 1 또는 화학식 2를 무용매 상태로 가열하여 열분해 하는 단계; 및
b) 냉각하고 극성 유기용매를 투입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 화학식 1은 비스(디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)니켈(II) 또는 비스(디메틸아미노-2-프로폭시)니켈(II)인 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 화학식 2는 비스(아미노아세테이트)니켈(II)인 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계의 가열 전, 덮개 리간드를 투입하는 것을 더 포함하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,
상기 덮개 리간드는 0~150℃의 융점을 가지며, 비등점이 180~300℃ 이상이며, 전자 주개 원소를 포함하는 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서,
상기 덮개 리간드는 올레일아민, 헥사데실아민, 도데실아민, 데실아민, 옥틸아민, 헥실아민, 올레일산, 헥사데카노익산, 도데카노익산, 데카노익산, 옥타노익산, 헥사노익산, 트리옥틸포스핀옥사이드 및 트리옥틸포스핀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 7 |
7
제 4 항에 있어서,
상기 덮개 리간드는 니켈 원자에 대해 0
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계의 가열은 100 내지 700℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계에서 화학식 1의 경우 100 내지 200℃에서 면심입방구조의 니켈이 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계에서 화학식 1의 경우 200 내지 300℃에서 니켈 카바이드 나노입자가 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계에서 화학식 2의 경우 400 내지 600℃에서 체심입방구조의 니켈이 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계에서 화학식 2의 경우 600 내지 700℃에서 니켈 카바이드 나노입자가 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 카바이드 나노입자의 제조방법
|
| 13 |
13
제 1 항 내지 제 12 항의 어느 한 항에 의해 제조되는 니켈 카바이드 나노입자
|
