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기판(10) 상에 와이어 그리드가 형성되고, 그 위로 유전층(11)과 게이트 전극(30)이 적층된 구조로 이루어지며,
상기 와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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기판(10) 상에 게이트 전극(30) 및 유전층(11)이 순차적으로 적층되고, 그 위에 와이어 그리드가 형성된 구조로 이루어지며,
상기 와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판(10)은 플렉시블 타입 또는 하드타입의 투명기판인 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 반도체물질은 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs 및 나노와이어 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 와이어 그리드는 인접한 와이어 그리드간의 간격에 따라 투과율과 반사율이 달라지는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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6
제 5 항에 있어서,
상기 와이어 그리드는 트랜스퍼 메소드 또는 스탬핑 메소드 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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7
제 5 항에 있어서,
상기 간격은 자외선 영역을 투과할 수 있도록 200-300nm로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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8
제 5 항에 있어서,
상기 간격은 가시광선 영역을 투과할 수 있도록 380-780nm로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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9
제 5 항에 있어서,
상기 간격은 적외선 영역을 투과할 수 있도록 780-1000nm로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 편광판은 상기 게이트 전극(30)을 통해 외부 전계로 투과율과 반사율이 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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11
제 10 항에 있어서,
상기 편광판은 원형, 사각형 또는 다각형의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판
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12
기판(10) 상에 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 변하는 반도체물질로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S100);
상기 와이어 그리드를 감싸도록 유전층(11)을 형성하는 단계(S200);
상기 유전층(11) 위로 게이트 전극(30)을 형성하는 단계(S300);를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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13
기판(10) 상에 게이트 전극(30)을 형성하는 단계(S100');
상기 게이트 전극(30) 상에 유전층(11)을 형성하는 단계(S200');
상기 유전층(11) 위에 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 변하는 반도체물질로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S300');를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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14
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,
상기 반도체물질은 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs, 나노와이어 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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15
제 14 항에 있어서,
상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,
상기 반도체 와이어 그리드의 간격을 자외선을 투과시킬 수 있도록 200-300nm 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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16
제 14 항에 있어서,
상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,
상기 반도체 와이어 그리드의 간격을 가시광선 영역을 투과시킬 수 있도록 380-780nm 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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17
제 14 항에 있어서,
상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,
상기 반도체 와이어 그리드의 간격은 적외선을 투과시킬 수 있도록 780-1000nm 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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18
제 14 항에 있어서,
상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,
상기 반도체 와이어 그리드는 트랜스퍼 메소드 또는 스탬핑 메소드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법
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