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기판상에 소정거리로 이격되어 배치된 두 전극 사이에 노출된 기판 상부에 형성된 금속박막을 열처리하여 상기 전극 사이에 노출된 기판 표면에 물리적으로 서로 분리되어 형성된 하나 또는 둘 이상의 금속 나노 점(nano dot)을 포함하는 갭 소자
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제 1항에 있어서,
상기 열처리에 의해 상기 전극과 상기 금속 나노 점(nano dot)간 또는 상기 나노 점(nano dot)간 나노 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 갭 소자
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제 2항에 있어서,
상기 나노 갭의 거리는 1 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 갭 소자
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제 1항에 있어서,
상기 기판은 실리콘, 게르마늄 및 실리콘게르마늄에서 선택된 4족 단결정 기판; 갈륨비소, 인듐인 및 갈륨인에서 선택된 3-5족 단결정 기판; 2-6족 단결정 기판; 4-6족 단결정 기판; 유리판; 산화막이 형성된 반도체 단결정 기판, 질화막이 형성된 반도체 단결정 기판 또는 이들의 적층 기판인 것을 특징으로 하는 갭 소자
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제 1항에 있어서,
상기 전극 및 금속박막은 서로 독립적으로 각각 Au, Ag, Al, Cu, Pd 및 Pt으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 갭 소자
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제 5항에 있어서,
상기 금속박막은 상기 전극을 구성하는 물질과 동일한 것을 특징으로 하는 갭 소자
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7
제 6항에 있어서,
상기 금속박막의 두께는 하기 식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 갭 소자
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제 1항에 있어서,
상기 갭 소자는 금속박막 형성 전, 적어도 전극 사이에 노출된 기판 상부에 Ti, Ni, Cr에서 선택되는 1종 이상의 금속 흡착층(adhesive layer)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 갭 소자
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9
제 1항에 있어서,
상기 열처리 온도는 하기 식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 갭 소자
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제 1항에 있어서,
상기 전극은 전자빔 리소그라피, 광 리소그라피, X-ray 리소그라피 및 인쇄법으로부터 선택되는 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 갭 소자
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