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그래핀(graphene)에 구조적 결함(defect)을 생성하여 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 방법
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제 1항에 있어서,
상기 결함은 라만 분광법에서 1300 내지 1400(cm-1) 위치에 픽(peak)을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,
상기 결함은 그래핀의 가열, 그래핀과 화학적으로 반응하는 가스와의 접촉, 자외선을 포함하는 광 조사, 초음파의 인가, 또는 플라즈마와의 접촉에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항 내지 제 3항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,
상기 결함은 산소 플라즈마에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 4항에 있어서,
상기 결함에 의해 그래핀의 전기적 특성이 전도성 내지 절연성으로 제어되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 4항에 있어서,
상기 그래핀의 전도도(conductance)는 상기 산소플라즈마의 파워(W), 산소 유량(sccm), 산소플라즈마 생성 압력(Pa) 및 산소플라즈마와 상기 그래핀의 접촉 시간인 플라즈마 인가시간(sec)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 방법
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7
제 6항에 있어서,
상기 그래핀의 전도도(conductance)는 하기의 관계식 1에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 방법
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8
제 7항에 있어서,
상기 A는 0
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9
제 7항에 있어서,
상기 그래핀에 감광성 물질을 도포하고 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광 및 현상한 후, 상기 산소플라즈마와 접촉하여 상기 현상에 의해 감광성 물질이 제거된 그래핀 영역에 상기 결함을 생성하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 9항에 있어서,
상기 감광성 물질의 현상 및 상기 산소플라즈마와의 접촉에 의해 저항이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 9항에 있어서,
상기 감광성 물질의 현상 및 상기 산소플라즈마와의 접촉에 의해 상기 그래핀에 전류 이동 배선이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 9항에 있어서,
상기 감광성 물질의 현상 및 상기 산소플라즈마와의 접촉에 의해 트랜지스터의 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 9항에 있어서,
상기 감광성 물질의 현상 및 상기 산소플라즈마와의 접촉에 의해 전하트랩형 비 휘발성 메모리 소자의 전하 트랩층이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 9항의 방법으로 제조된 그래핀 저항
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제 9항의 방법으로 제조된 그래핀 도선
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제 9항의 방법으로 제조된 트랜지스터용 그래핀 채널층
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제 9항의 방법으로 제조된 전하트랩형 비휘발성 메모리용 그래핀 전하 트랩층
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