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기판;상기 기판상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 일부 영역에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극에 도포된 전자주입층;상기 소스/드레인 전극 중 나머지 전극에 도포된 정공주입층;상기 전자주입층의 기판 상에 위치하는 N-형 유기반도체층상기 정공주입층의 기판 상에 위치하는 P-형 유기반도체층;상기 N-형, P-형 유기반도체를 포함한 디지탈 회로로 구성되는 금속산화막반도체(CMOS) 디지털 회로
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제 15항에 있어서,상기 전자주입층은 Cs2CO3, CsF, Rb2CO3, K2CO3, Na2CO3, LiF, CaF2, MgF2, NaCl, MgO 에서 선택되는 금속염 용액이며,상기 정공주입층은 V2O5, MoO3, F4TCNQ 중에서 선택되는 금속염 용액인 것을 특징으로 한 금속산화막반도체(CMOS) 디지털 회로
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기판;상기 기판상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 일부 영역에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극에 도포된 전자주입층;상기 소스/드레인 전극 중 나머지 전극에 도포된 정공주입층;상기 전자주입층의 기판상에 위치하는 N-형 유기반도체층상기 정공주입층의 기판상에 위치하는 P-형 유기반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 및 정공 주입성능이 향상된 양극성 유기박막트랜지스터
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제 17항에 있어서,상기 전자주입층은 Cs2CO3, CsF, Rb2CO3, K2CO3, Na2CO3, LiF, CaF2, MgF2, NaCl, MgO 에서 선택되는 금속염 용액이며,상기 정공주입층은 V2O5, MoO3, F4TCNQ 중에서 선택되는 금속염 용액인 것을 특징으로 한 전자 및 정공 주입성능이 향상된 양극성 유기박막트랜지스터
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기판;상기 기판상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 일부 영역에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극에 도포된 전자주입층;상기 소스/드레인 전극 중 나머지 전극에 도포된 정공주입층;상기 전자주입층의 기판 상에 위치하는 N-형 유기반도체층상기 정공주입층의 기판 상에 위치하는 P-형 유기반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 및 정공 주입성능이 향상된 유기발광트랜지스터
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제 19항에 있어서,상기 전자주입층은 Cs2CO3, CsF, Rb2CO3, K2CO3, Na2CO3, LiF, CaF2, MgF2, NaCl, MgO 에서 선택되는 금속염 용액이며,상기 정공주입층은 V2O5, MoO3, F4TCNQ 중에서 선택되는 금속염 용액인 것을 특징으로 한 전자 및 정공 주입성능이 향상된 유기발광트랜지스터
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