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티타늄 박막을 이용한 ＦＥＴ형 바이오센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014033463
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티타늄막을 이용한 FET형 바이오센서에 관한 것이다. 상기 FET형 바이오센서는 동일한 반도체 기판위에 형성되는 기준신호용 소자 및 센서용 소자를 구비하며, 상기 기준 신호용 소자는 상기 반도체 기판에 형성된 소스, 드레인, 게이트 절연막, 다결정 실리콘층, 제1 금속층 및 제2 금속층으로 이루어지며, 상기 센서용 소자는 소스, 드레인, 게이트 절연막, 반도체 박막, 제4 금속층, 제3 금속층으로 이루어진다. 상기 제2 금속층은 상부에 자기조립단분자막이 형성되지 않도록 하기 위하여 상기 제1 금속층 위에 형성되며, 상기 제3 금속층은 상부에 자기조립단분자막이 형성될 수 있도록 하기 위하여 상기 제4 금속층 위에 형성된다. 상기 기준 신호용 소자의 제1 금속층과 상기 센서용 소자의 제4 금속층은 티타늄 박막으로 이루어지며, 상기 제2 금속층은 플래티늄(Pt) 박막으로 이루어지며, 상기 제3 금속층은 금(Au)으로 이루어진다. 바이오센서, 센서용소자, 기준신호용 소자, 티타늄
Int. CL G01N 33/48 (2006.01) G01N 33/53 (2006.01)
CPC G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01)
출원번호/일자 1020080014704 (2008.02.19)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0964202-0000 (2010.06.09)
공개번호/일자 10-2009-0089503 (2009.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20100617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류홍근 대한민국 대구시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0121340-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0015029-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0082380-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0148286-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0232582-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
동일한 반도체 기판위에 형성되는 기준신호용 소자 및 센서용 소자를 구비하는 FET형 바이오센서에 있어서, 상기 기준 신호용 소자는 상기 반도체 기판에 형성된 기준 신호 소자용 소스 및 기준 신호 소자용 드레인; 상기 반도체 기판위에 형성된 기준 신호 소자용 게이트 절연막; 상기 기준 신호 소자용 게이트 절연막위에 형성된 기준 신호 소자용 반도체 박막; 상기 기준 신호 소자용 반도체 박막위에 형성된 제1 금속층; 상부에 자기조립단분자막이 형성되지 않도록 하기 위하여 상기 제1 금속층 위에 형성된 제2 금속층;을 구비하고, 상기 센서용 소자는 상기 반도체 기판에 형성된 센서 소자용 소스 및 센서 소자용 드레인; 상기 반도체 기판위에 형성된 센서 소자용 게이트 절연막; 상기 센서 소자용 게이트 절연막위에 형성된 센서 소자용 반도체 박막; 상기 센서 소자용 반도체 박막위에 형성되는 제4 금속층; 상부에 자기조립단분자막이 형성될 수 있도록 하기 위하여 상기 제4 금속층 위에 형성되는 제3 금속층;을 구비하며, 상기 기준 신호용 소자의 제1 금속층과 상기 센서용 소자의 제4 금속층은 티타늄 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 금속층은 플래티늄(Pt) 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 제3 금속층은 금(Au)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FET 형 바이오 센서
4 4
하나의 반도체 기판상에 기준신호용 소자 및 센서용 소자를 제작하는 FET형 바이오센서 제조 방법에 있어서, (a) 반도체 기판상에 소자를 형성할 영역들에 소스 및 드레인을 형성하는 단계; (b) 각 소스 및 드레인의 사이에 게이트 절연막, 반도체 박막 및 제1 금속층을 순차적으로 형성하는 단계; (c) 기준 신호용 소자가 형성될 영역의 제1 금속층위에 제2 금속층을 형성하는 단계; (d) 센서용 소자가 형성될 영역의 제1 금속층위에 제3 금속층을 형성하는 단계 를 구비하고, 상기 제1 금속층은 티타늄 박막으로 이루어지며, 제2 금속층은 플래티늄 박막으로 이루어지며, 제3 금속층은 금(Au) 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오 센서의 제조 방법
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1 대구경북과학기술연구원 의료용바이오센서기반기술연구