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고효율 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014033505
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 상기 유기 박막 트랜지스터는 소정의 형상으로 이루어지는 적어도 하나 이상의 요철부가 형성된 기판과, 상기 기판의 요철부 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막의 상부에 소정의 형상으로 패터닝되어 형성된 유기물 절연막과, 상기 유기물 절연막의 상부에 형성되는 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소오스 전극과 드레인 전극의 사이에 형성되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 자기 조립체와, 상기 자기 조립체의 상부에 형성되며, 상기 소오스 전극과 드레인 전극의 양 단부에 접속되는 활성층을 구비한다. 상기 기판의 요철부는 오목한 형상의 홈부 또는 볼록한 형상의 돌출부로 이루어지거나, 상기 홈부와 상기 돌출부가 선택적으로 결합된 형상으로 이루어진다.본 발명에 의하여 기판의 구조를 변경함으로써 유기 박막 트랜지스터의 포화 영역의 드레인 전류를 증가시키고 점멸비를 향상시킬 수 있게 된다.유기 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01)
출원번호/일자 1020050133512 (2005.12.29)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0758872-0000 (2007.09.10)
공개번호/일자 10-2007-0070693 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20070914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재현 대한민국 대구 달서구
2 김대환 대한민국 대구시 수성구
3 최병대 대한민국 대구 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)
2 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)대구경북과학기술연구원 대한민국 대구광역시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0778391-82
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0086120-55
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0163392-49
4 등록결정서
Decision to grant
2007.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0459402-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
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2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 형상으로 이루어지는 적어도 하나 이상의 요철부가 형성된 기판;상기 기판의 요철부 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 소정의 형상으로 패터닝되어 형성된 유기물 절연막;상기 유기물 절연막의 상부에 형성되는 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 소오스 전극과 드레인 전극의 사이에 형성되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 자기 조립체;상기 자기 조립체의 상부에 형성되며, 상기 소오스 전극과 드레인 전극의 양 단부에 접속되는 활성층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판의 요철부는 오목한 형상의 홈부 또는 볼록한 형상의 돌출부로 이루어지거나, 상기 홈부와 상기 돌출부가 선택적으로 결합된 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 표면위에 포토레지스트를 도포하여 포토 레지스트층을 형성한 후, 상기 포토 레지스터층에 소정의 형상을 갖는 마이크로 스탬프를 찍어서 해당 형상으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 포토레지스트층을 마스크로 하여 식각하여 소정의 입체적인 형상의 요철부를 상기 기판 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 고유전율을 갖는 무기물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
기판위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층위에 소정의 입체적인 형상을 갖는 마이크로 스탬프를 찍어서 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 포토레지스트층을 마스크로 하여 상기 기판을 식각하는 단계;를 구비하여 상기 기판위에 입체적인 형상의 요철부를 형성하고, 상기 요철부상에 박막 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 기판위에 형성되는 요철부는 오목한 형상의 홈부 또는 볼록한 형상의 돌출부가 적어도 하나 이상이 구비되며, 상기 요철부상에 박막 트랜지스터의 소오스와 드레인을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.