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고감도 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014033506
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 기판의 형상을 구조적으로 변경하여 소자의 구동 전류 및 바이오 감지 타겟 물질과의 물리적 접촉 면적을 증가시키고 전기적 성능을 향상시킨 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서를 제공한다. 본 발명에 의하면, 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 반도체 기판 형상의 구조적 개선하여 전기적 성능의 향상을 통해 높은 S/N비(신호 대 잡음비)를 구현하여 재현성 및 그 정확도를 높일 수 있다.바이오센서, 전계 효과 트랜지스터(FET), 요철, 마이크로 스탬프
Int. CL C12Q 1/68 (2006.01)
CPC C12Q 1/6825(2013.01)
출원번호/일자 1020060035343 (2006.04.19)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0758822-0000 (2007.09.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수근 대한민국 경북 포항시 남구
2 정상원 대한민국 대구시 수성구
3 손영수 대한민국 대구시 수성구
4 김현철 대한민국 대구시 동구
5 류홍근 대한민국 대구시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 구기완 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)(특허법인 무한)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)대구경북과학기술연구원 대한민국 대구광역시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0271977-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0003439-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0081235-35
5 의견서
Written Opinion		 2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0278328-01
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0278327-55
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0464330-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서,상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판에 형성된 요철부는,상기 고분자 박막 위에 레지스트(resist) 재료를 도포(coating)하는 단계;상기 레지스트 위에 마이크로 스탬프를 이용하여 국부적으로 임프린트 공정을 수행하는 단계;상기 마이크로 스탬프를 이동해가며 임프린트 공정을 반복 수행하여, 전체 기판에 대해 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트의 레이듀얼(residual) 레이어(layer)를 제거하는 단계; 및상기 레지스트 패턴을 마스크(mask)로 사용해 선정된(predetermined) 형상을 반도체 기판에 형성하는 단계에 의하여 제작된 요철부임을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오 센서
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제1항에 있어서,상기 바이오 감지막은 DNA, RNA 또는 단백질 중 어느 하나로 구성된 생체 분자인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서
9 9
반도체 기판 위에 게이트 절연막을 적층하는 단계;상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 위에 바이오 감지막을 형성하는 단계 를 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 제조방법에 있어서,선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부를 상기 반도체 기판에 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 상에 기준 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 제조방법
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12 12
제9항에 있어서,상기 선정된(determined) 하나 이상의 요철부를 반도체 기판에 형성하는 단계는,상기 고분자 박막 위에 레지스트(resist) 재료를 도포(coating)하는 단계;상기 레지스트 위에 마이크로 스탬프를 이용하여 국부적으로 임프린트 공정을 수행하는 단계;상기 마이크로 스탬프를 이동해가며 임프린트 공정을 반복 수행하여, 전체 기판에 대해 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트의 레이듀얼(residual) 레이어(layer)를 제거하는 단계; 및상기 레지스트 패턴을 마스크(mask)로 사용해 선정된(predetermined) 형상을 반도체 기판에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오 센서의 제조방법
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14 14
제12항에 있어서,상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용해 선정된 형상을 반도체 기판에 형성하는 단계는 건식 식각 또는 습식 식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 제조방법
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16 16
제9항에 있어서,상기 바이오 감지막은 DNA, RNA 또는 단백질 중 어느 하나로 구성된 생체 분자인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.