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전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014033587
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법에 관한 것으로, 특히 티타늄 전구체, 고분자 화합물, 및 용매의 혼합물을 산화물 도체가 코팅된 기판에 스핀코팅법으로 코팅하고, 열처리하여 산화물 반도체 전극을 제조함으로써 가정용 및 산업용 오염물질을 효율적으로 처리할 수 있으며, 화학적 내구성이 강하고, 제조가 매우 간단하며, 비용을 절감할 수 있는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법에 관한 것이다.산화물 반도체 전극, 전기화학장치, 스핀코팅, 오염물질 분해
Int. CL H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/28026(2013.01) H01L 21/28026(2013.01) H01L 21/28026(2013.01)
출원번호/일자 1020060078372 (2006.08.18)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0744635-0000 (2007.07.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 도석주 대한민국 대구광역시 수성구
2 김참 대한민국 대구광역시 달서구
3 이성준 대한민국 대구광역시 수성구
4 이세근 대한민국 경기도 의정부시 가
5 김호영 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 구기완 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)(특허법인 무한)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)대구경북과학기술연구원 대한민국 대구광역시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0589837-00
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0605036-11
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019822-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0234460-46
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0451097-18
7 의견서
Written Opinion		 2007.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0451099-09
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0391661-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 도체가 코팅된 유리 기판에 티타늄 전구체, 고분자 화합물, 및 용매의 혼합물을 스핀코팅법으로 코팅하여 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화물 도체가 인듐, 주석, 아연, 알루미늄, 및 불소로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속산화물 도체인 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 티타늄 전구체가 티타늄 아이소프로포사이드(titanium isopropoxide, TTIP) 또는 티타늄 테트라에톡사이드(titanium tetraethoxide)의 Ti를 포함하는 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 혼합물이 TiO2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 용매가 아세트산(aceitc acid), 에탄올(ethanol), 및 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide, DMF)로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 스핀코팅이 500 내지 5,000 rpm의 속도로 실시되는 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 열처리가 450 내지 750 ℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법
8 8
유리 기판;상기 유리 기판 상에 형성된 산화물 도체층; 및상기 산화물 도체층 상에 형성된 산화물 반도체층을 포함하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극
9 9
제8항에 있어서,상기 산화물 반도체층의 두께가 50 ㎚ 내지 1,000 ㎚인 것을 특징으로 하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.