1 |
1
기준 전극으로 사용되는 금속 전극이 형성된 상판과,상기 상판을 지지하는 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 상판은 금속 배선이 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 상판과 상기 지지대가 일체형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
4 |
4
제2항에 있어서,상기 상판과 상기 지지대가 일체형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
5 |
5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 전극은 상기 판상 덮개 구조체의 챔버 내부, 유체 통로 내부 또는 소정의 측면 중 어느 하나 이상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
6 |
6
제2항 또는 제4항에 있어서,상기 금속 배선은 상기 판상 덮개 구조체의 챔버 내부, 유체 통로 내부 또는 소정의 측면 중 어느 하나 이상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
7 |
7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 전극은 전도성 패이스트 또는 전도성 물질에 의해서 반도체 회로기판 패드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
8 |
8
제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 금속 배선은 전도성 패이스트 또는 전도성 물질에 의해서 반도체 회로기판 패드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
9 |
9
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판에 소정의 길이로 하나 이상의 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
10 |
10
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판의 표면 또는 상기 상판의 어느 한 측면에 한 층 이상의 차폐막을 형성한 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 차폐막은 증착(deposition), 접착(adhesion), 도포(coating) 중 어느 하나의 방법이거나 둘 이상의 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체
|
12 |
12
삭제
|
13 |
13
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판의 표면 편평도는 0
|
14 |
14
기준 전극으로 사용되는 금속 전극이 형성된 상판과 상기 상판을 지지하는 지지대가 형성된 상판 덮개 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
15 |
15
제14항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 상판은 금속 배선이 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
16 |
16
제14항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 상판과 상기 상판 덮개 구조체의 지지대가 일체형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
17 |
17
제15항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 상판과 상기 상판 덮개 구조체의 상기 지지대가 일체형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
18 |
18
제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 금속 전극은 상기 판상 덮개 구조체의 챔버 내부, 유체 통로 내부 또는 소정의 측면 중 어느 하나 이상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
19 |
19
제15항 또는 제17항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 금속 배선은 상기 판상 덮개 구조체의 챔버 내부, 유체 통로 내부 또는 소정의 측면 중 어느 하나 이상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
20 |
20
제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 금속 배선은 전도성 패이스트 또는 전도성 물질에 의하여 반도체 회로기판 패드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
21 |
21
제15항 또는 제17항에 있어서, 상기 상판 덮개 구조체의 상기 금속 배선은 전도성 패이스트 또는 전도성 물질에 의하여 반도체 회로기판 패드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
22 |
22
제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 상판에 소정의 크기로 하나 이상의 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
23 |
23
제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상기 상판의 표면 또는 상기 상판의 어느 한 측면에 한 층 이상의 차폐막을 형성한 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
24 |
24
제23항에 있어서,상기 차폐막은 증착(deposition), 접착(adhesion), 도포(coating) 중 어느 하나의 방법이거나 둘 이상의 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템
|
25 |
25
삭제
|
26 |
26
제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상판 덮개 구조체의 상판의 표면 편평도는 0
|