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기판 상에 위치하는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및
상기 저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자
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제1항에 있어서,
상기 반도체 박막은,
Hf(하프늄), Zr(지르코늄), Sn(스태늄), Ti(티타늄), 알루미늄(Al), 철(Fe), 구리(Cu) 중 적어도 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자
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제1항에 있어서,
상기 하부전극 및 상기 상부전극 중 하나는 Pt(백금), Ir(이리듐), Au(금), Ag(은) 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자
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4
제1항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 반도체 박막과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자
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제1항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연층은,
HfO2(산화하프늄), HfON(질화하프늄), Al2O3(산화알루미늄), TiO2(산화티타늄) 또는 ZrO2(산화지르코늄) 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자
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제1항에 있어서,
상기 저항 메모리 소자는 복수의 소자가 병렬 구조를 취하며 상기 박막 트랜지스터에 연결된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자
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7
저항 메모리소자의 저항 값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 갖는 비휘발성 저항 메모리소자를 제조하는 방법에 있어서,
상기 저항 메모리소자는,
기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;
상기 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자의 제조방법
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8
제7항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 반도체 박막과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자의 제조방법
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9
제7항에 있어서,
상기 반도체 박막은,
Hf(하프늄), Zr(지르코늄), Sn(스태늄), Ti(티타늄), 알루미늄(Al), 철(Fe), 구리(Cu) 중 적어도 하나가 도핑되었으며,
상기 저항 메모리소자는 복수의 소자가 병렬 구조를 취하며 상기 박막 트랜지스터에 연결된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 메모리소자의 제조방법
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