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태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014033642
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 그 제조 방법이 개시된다. 태양전지는 상호 대향 배치된 제1 및 제2 전극; 및 상기 제1 및 제2 전극 사이에 위치하는 광전변환층을 포함하며, 상기 광전변환층은, 자성 및 전도성 고분자 나노막대로 이루어지되, 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대가 상기 제1 및 제2 전극 표면에 대해 실질적으로 수직하게 고밀도로 배열된 나노막대층; 및 상기 나노막대층의 빈 공간을 매립하는 전도성 고분자층 또는 유기물층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) B82Y 40/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01)
출원번호/일자 1020080129352 (2008.12.18)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0959760-0000 (2010.05.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우성호 대한민국 대구시 북구
2 김재현 대한민국 대구시 달서구
3 김강필 대한민국 대구시 달서구
4 류홍근 대한민국 대구시 달성군 화원읍

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0870766-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0109322-48
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0172335-51
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0172346-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0197531-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상호 대향 배치된 제1 및 제2 전극; 및 상기 제1 및 제2 전극 사이에 위치하는 광전변환층 을 포함하며, 상기 광전변환층은, 자성 및 전도성 고분자 나노막대로 이루어지되, 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대가 상기 제1 및 제2 전극 표면에 대해 수직하게 배열된 나노막대층; 및 상기 나노막대층의 빈 공간을 매립하는 전도성 고분자층 또는 유기물층 을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대는, 전도성 고분자 나노막대; 상기 전도성 고분자 나노막대의 일단부에 형성된 제1 자성체; 및 상기 전도성 고분자 나노막대의 타단부에 형성된 제2 자성체 를 포함하는 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 전도성 고분자 나노막대간 간격이 500 nm 이하이고, 상기 전도성 고분자 나노막대의 길이가 30 내지 2000 nm인 태양전지
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성체가, 각각 독립적으로 니켈(Ni), 철(Fe), 크롬(Cr) 및 코발트(Co), 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 이루어진 태양전지
5 5
제2항에 있어서, 상기 전도성 고분자 나노막대가 전자공여체이고, 상기 전도성 고분자층 또는 유기물층이 전자수용체이거나, 또는 상기 전도성 고분자 나노막대가 전자수용체이고, 상기 전도성 고분자층 또는 유기물층이 전자공여체인 태양전지
6 6
제1 전극이 형성된 기재를 준비하는 단계; 자성 및 전도성 고분자 나노막대를 준비하는 단계; 상기 제1 전극 표면에 대해 수직하게 배열된 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대로 이루어진 나노막대층을 상기 제1 전극 상에 형성하는 단계; 상기 나노막대층의 빈 공간을 매립하는 전도성 고분자층 또는 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 고분자층 또는 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 태양전지 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대를 준비하는 단계는, 나노 다공성 템플레이트를 준비하는 단계; 상기 나노 다공성 템플레이트의 다공 내부에 제1 자성체를 형성하는 단계; 상기 제1 자성체가 형성된 상기 나노 다공성 템플레이트의 다공 내부에 전도성 고분자 나노막대를 형성하는 단계; 및 상기 전도성 고분자 나노막대가 형성된 상기 나노 다공성 템플레이트의 다공 내부에 제2 자성체를 형성하는 단계 를 포함하는 태양전지 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 나노 다공성 템플레이트가 양극산화 알루미늄 템플레이트인 태양전지 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 나노막대층을 상기 제1 전극 상에 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 상에 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대를 위치시킨 후, 상기 자성 및 전도성 고분자 나노막대에 자장을 인가하는 단계 를 포함하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.