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기판;
상기 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 상기 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층;
상기 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층; 및
상기 액티브층과 상기 플로팅 게이트층 사이에 상기 소스 및 상기 드레인 전극의 일부분에 오버랩되어 형성되는 터널 절연층을
포함하는 반도체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은,
유연성 및 투명성 중 하나 이상의 성질을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는,
인듐(In), 갈륨(GA), 아연(Zn), 주석(Sn) 중 하나 이상의 금속을 구성 성분으로 가지는 n형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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4
제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은,
금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 코발트(Co) 및 희토류 금속 중 하나 이상의 물질을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 플로팅 게이트층은,
저온 공정으로 형성되는 질화물 및 나노점 중 하나 이상을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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6
삭제
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7
삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 메모리 소자는,
상기 플로팅 게이트층의 상부에 형성되는 블로킹 절연층; 및
상기 블로킹 절연막의 상부에 형성되는 게이트층
를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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9
제 8 항에 있어서, 상기 게이트층은,
투명전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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10
제 9 항에 있어서, 상기 투명전도성 물질은,
Al(Aluminum), B(Boron) 및 Ga(Gallim) 중 하나 이상이 도핑된 ZnO(Zinc Oxide) 또는 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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11
기판 상에 산화물 반도체로 채널 영역을 형성하고 상기 채널 영역과 쇼트키 접합하여 소스 및 드레인 전극을 형성하여 액티브층을 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인 전극의 일부분의 상부에 반도체 마스크를 형성하는 단계;
상기 액티브층의 상부에 터널 절연층, 플로팅 게이트층, 블로킹 절연층 및 게이트층을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 마스크를 제거하여 상기 소스 및 드레인의 일부분을 노출시키는 단계를 포함하며,
상기 액티브층을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 상기 산화물 반도체를 형성하는 단계;
상기 산화물 반도체의 일부분에 추가 반도체 마스크를 형성하는 단계;
상기 산화물 반도체를 식각하여 소스 및 드레인 영역을 형성하고 상기 소스 및 드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및
상기 추가 반도체 마스크를 제거하여 상기 채널 영역을 노출시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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삭제
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제 11 항에 있어서, 상기 터널 절연층, 플로팅 게이트층, 블로킹 절연층 및 게이트층을 형성하는 단계는,
상기 터널 절연층, 상기 플로팅 게이트층, 상기 블로킹 절연층 및 상기 게이트층 중 하나 이상을 비진공 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 비진공 공정은,
잉크젯 용액 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 터널 절연층, 플로팅 게이트층, 블로킹 절연층 및 게이트층을 형성하는 단계는,
미세 나노입자를 포함하는 플로팅 게이트용 잉크를 이용하여 상기 플로팅 게이트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 터널 절연층, 플로팅 게이트층, 블로킹 절연층 및 게이트층을 형성하는 단계는,
상기 블로킹 절연층을 복수 개의 층으로 형성하되, 상기 복수 개의 층의 각 층은 복수 개의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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