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교환 가능한 전극을 구비하는 ＦＥＴ 형 바이오 센서

  • 기술번호 : KST2014033661
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시 예에 의한 FET 형 바이오 센서는 회로 기판 상에 배치되고 소스, 드레인 및 게이트를 포함하는 전계효과트랜지스터(FET)를 포함한다. 또한, FET 형 바이오 센서는 바이오 물질을 감지할 수 있는 금속막을 포함하는 전극판 및 상기 회로 기판 상에 배치되고 상기 전극판을 부착 및 탈착시킬 수 있는 전극판 소켓을 포함한다. 상기 전극판 소켓 내에 부착되는 전극판과 상기 FET의 게이트는 서로 전기적으로 연결된다.
Int. CL G01N 33/50 (2006.01) C12Q 1/68 (2006.01) G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01)
CPC G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01)
출원번호/일자 1020080104662 (2008.10.24)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1043598-0000 (2011.06.16)
공개번호/일자 10-2010-0045640 (2010.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우성호 대한민국 대구 북구
2 김강필 대한민국 대구 달서구
3 류홍근 대한민국 대구광역시 달성군 화원읍
4 김재현 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0739108-33
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0123213-97
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0763506-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047680-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0470793-07
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0838910-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0050210-60
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0122693-10
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0122701-98
16 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0152847-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
회로 기판; 및 상기 회로 기판 상에서 집적되고, 내부에 전계효과트랜지스터(FET)를 구비하며 전극판의 일부분을 수렴하는 전극판 소켓을 포함하고, 상기 전극판 소켓은 상기 전극판을 부착 및 탈착시키며, 상기 전극판이 상기 전극판 소켓에 부착될 때, 상기 전극판의 금속막은 전극 접속핀에 의해 상기 FET의 게이트에 연결되되, 상기 금속막은, 특정 항원과만 반응하는 항체가 상기 금속막 상에 제공될 때, 상기 항체를 자기 정렬 방식으로 고정시키는 기능을 수행하고, 상기 고정된 항체는, 상기 특정 항원이 도입되는 경우에 상기 특정 항원과의 항원-항체 반응을 통해 상기 FET의 게이트에 인가되는 전압을 변화시키는 것을 특징으로 하는 FET 형 바이오 센서
2 2
제1 항에 있어서, 상기 FET는 N채널 금속-산화물-반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 또는 P채널 MOSFET을 포함하는 FET 형 바이오 센서
3 3
제1 항에 있어서, 상기 전극판은 절연기판 및 상기 절연 기판 상에 형성된 복수의 금속막을 포함하는 FET 형 바이오 센서
4 4
제1 항에 있어서, 상기 금속막은 금(Au)으로 이루어지는 FET 형 바이오 센서
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서, 상기 금속막에 기준 전압을 인가하는 기준 전극을 더 포함하는 FET 형 바이오 센서
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.