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기판상에 제 1 활성화 영역층을 형성하되, 적어도 가스 분위기를 포함한 제 1 공정 조건을 조절하여 상기 제 1 활성화 영역층의 전기적 특성을 조절하는 단계;
상기 제 1 활성화 영역층에 정의된 소오스 영역 및 드레인 영역 상에 제 2 활성화 영역층을 형성하되, 적어도 가스 분위기를 포함한 제 2 공정 조건을 조절하여 상기 제 2 활성화 영역층의 전기적 특성을 상기 제 1 활성화 영역층과 다르게 조절하는 단계; 및
상기 제 2 활성화 영역층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 제 1 활성화 영역층에 정의된 게이트 영역상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 7 항에 있어서,
상기 제 1 공정 조건은 20 mTorr 이하의 압력에서 O2/(Ar+O2)의 비율이 5% 이하인 상기 가스 분위기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 7 항에 있어서,
상기 제 2 공정 조건은 20 mTorr 이하의 압력에서 O2/(Ar+O2)의 비율이 5% 이상인 상기 가스 분위기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 7 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 활성화 영역층은 인듐(In) 산화물, 갈륨(Ga) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 알루미늄(Al) 및 주석(Sn) 산화물 중 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 n형 또는 p형 산화물 반도체로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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기판상에 제 1 활성화 영역층을 형성하되, 적어도 가스 분위기를 포함한 제 1 공정 조건을 조절하여 상기 제 1 활성화 영역층의 전기적 특성을 조절하는 단계;
상기 제 1 활성화 영역층에 정의된 게이트 영역 상에 제 2 활성화 영역층을 형성하되, 적어도 가스 분위기를 포함한 제 2 공정 조건을 조절하여 상기 제 2 활성화 영역층의 전기적 특성을 상기 제 1 활성화 영역층과 다르게 조절하는 단계; 및
상기 제 1 활성화 영역층에 정의된 소오스 영역 및 드레인 영역 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성함과 아울러, 상기 제 2 활성화 영역층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 제 1 공정 조건의 상기 가스 분위기는 O2/(Ar+O2)의 비율을 5% 이상으로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 제 2 공정 조건의 상기 가스 분위기는 O2/(Ar+O2)의 비율을 5% 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 활성화 영역층은 인듐(In) 산화물, 갈륨(Ga) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 알루미늄(Al) 및 주석(Sn) 산화물 중 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 n형 또는 p형 산화물 반도체로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 소오스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극은 동일 금속층에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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기판상에 활성화 영역층을 형성하되, 적어도 가스 분위기를 포함한 공정 조건을 조절하여 상기 활성화 영역층에 정의된 적어도 소오스 영역 및 드레인 영역의 전기적 특성을 조절하는 단계;
상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계;
상기 활성화 영역층 상에 정의된 게이트 영역 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 16 항에 있어서,
상기 공정 조건에서 상기 가스 분위기는 O2/(Ar+O2)의 비율을 5% 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 16 항에 있어서,
상기 활성화 영역층은 인듐(In) 산화물, 갈륨(Ga) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 알루미늄(Al) 및 주석(Sn) 산화물 중 하나 이상의 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 16 항에 있어서,
상기 활성화 영역층은 5nm~200nm의 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 16 항에 있어서,
상기 게이트 절연층은 SiO2보다 유전 상수가 큰 고유전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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