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금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법으로서,
a) 반도체 기판위에 산화규소(SiO2)층을 형성하는 단계;
b) 상기 산화규소층 상에 금속산화물 나노선을 형성하는 단계;
c) 상기 나노선 양쪽 끝부분에 소스 및 드레인 전극을 형성시키는 단계;
d) 상기 전극이 형성된 기판 위에 산화규소와 유전율이 유사한 유기물을 코팅하는 단계; 및
e) 상기 유기물이 코팅된 기판을 플라즈마 애싱(plasma ashing) 처리하여, 금속산화물 나노선과 산화규소층 사이의 나노선의 아래쪽 절반 부분만 유기물 게이트로 코팅되고 나노선의 위쪽 절반부분은 센싱부분으로 남게 되는 구조를 갖는 금속산화물 나노선 FET 센서를 제조하는 단계;
를 포함하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 a)단계의 반도체 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 b)단계의 금속산화물 나노선은 ZnO(zinc oxide), In2O3(indium oxide), SnO2(tin oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), MgO(magnesium oxide), 및 Al2O3(aluminum oxide)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상 금속산화물인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 c)단계의 소스(source) 및 드레인(drain) 전극은 포토리소그래피 또는 E-빔 리소그래피를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 d)단계의 산화규소와 유전율이 유사한 유기물은 PMMA(polymethyl methacrylate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리아크릴산(polyacrylic acid), Poly-(1-butene), 및 PVP(Polyvinylpyrrolidone)로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 d)단계의 유기물은 스핀코팅법을 이용하여 코팅한 후 건조하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 e)단계의 플라즈마 애싱(plasma ashing)은 O2, N2, N2O, He, 및 Ar 가스로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노선 FET 센서 제조방법
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