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ＣＩＧＳ 박막 제조 방법과 ＣＩＧＳ 박막 태양전지

기술번호 : KST2014033723
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시예는, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 전착용액과 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압 조건으로 실시되는 전착법으로 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) 층의 광흡수층 형성을 위해 금속 전구체를 이용하여 이온화된 구리(Cu), 인듐(In), 칼슘(Ca), 셀렌(Se) 성분을 전착하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법을 제공한다. PVA, 전착용액, 광흡수층, CIGS
Int. CL	H01L 31/0445 (2014.01)
CPC	H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자	1020090077813 (2009.08.21)
출원인	재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자	10-1081443-0000 (2011.11.02)
공개번호/일자	10-2011-0020094 (2011.03.02) 문서열기
공고번호/일자	(20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.08.21)
심사청구항수	4

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	재단법인대구경북과학기술원	대한민국	대구 달성군 현

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이수재	대한민국	대구광역시 달서구
2	김대환	대한민국	대구광역시 수성구
3	성시준	대한민국	대구광역시 수성구
4	한윤수	대한민국	대구광역시 수성구
5	강진규	대한민국	대구광역시 중구
6	이동하	대한민국	대구광역시 수성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김은구	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로길 , *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2	송해모	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로길 , *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	재단법인대구경북과학기술원	대한민국	대구광역시 달성

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2009-0513771-85
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.08.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0521850-26
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.01.13	수리 (Accepted)	4-1-2010-5006262-09
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.04.06	수리 (Accepted)	4-1-2010-5060059-92
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.01.13	수리 (Accepted)	4-1-2011-5007932-94
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.03.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0138486-20
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.04.12	수리 (Accepted)	1-1-2011-0267004-94
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.04.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0267008-76
9	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2011.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0551143-18
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.09.30	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2011-0767285-90
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.09.30	수리 (Accepted)	1-1-2011-0767282-53
12	등록결정서 Decision to grant	2011.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0628370-48
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.07.31	수리 (Accepted)	4-1-2012-5164104-34
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.07.31	수리 (Accepted)	4-1-2012-5164108-16
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.11.11	수리 (Accepted)	4-1-2013-5149764-85
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5260250-39
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.18	수리 (Accepted)	4-1-2020-5134633-04

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌 중 1종 이상의 원소가 포함된 전구체 용액과, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 용액을 혼합하여 전착용액을 제조하는 단계; 및 전극층이 형성된 기판에 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압을 인가하여 이온화된 상기 구리, 상기 인듐, 상기 갈륨, 상기 셀렌 성분 중 1종 이상의 성분을 상기 전극층 상에 부착시켜 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2,N=0-3)을 포함하는 광흡수층 형성하는 단계 를 포함하는 CIGS 박막 제조방법
2	2 제1항에 있어서, 상기 PVA는 상기 전착용액의 0
3	3 제1항에 있어서, 상기 CIGS 광흡수층은, 상기 전착용액에 몰리브덴이 0
4	4 제1항 또는 제2항 중 하나의 방법으로 제조된 CIGS 박막 태양전지

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1081443-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090821 출원 번호 : 1020090077813 공고 연월일 : 20111108 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111028 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : ＣＩＧＳ 박막 제조 방법과 ＣＩＧＳ 박막 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20171103

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 재단법인대구경북과학기술원 대구광역시 달성...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	100,500 원	2011년 11월 03일	납입
제 4 년분	금 액	128,000 원	2014년 10월 14일	납입
제 5 년분	금 액	89,600 원	2015년 10월 28일	납입
제 6 년분	금 액	89,600 원	2016년 09월 28일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2009-0513771-85
2	[명세서등 보정]보정서	2009.08.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0521850-26
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.01.13	수리 (Accepted)	4-1-2010-5006262-09
4	출원인정보변경(경정)신고서	2010.04.06	수리 (Accepted)	4-1-2010-5060059-92
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.01.13	수리 (Accepted)	4-1-2011-5007932-94
6	의견제출통지서	2011.03.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0138486-20
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.04.12	수리 (Accepted)	1-1-2011-0267004-94
8	[명세서등 보정]보정서	2011.04.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0267008-76
9	최후의견제출통지서	2011.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0551143-18
10	[명세서등 보정]보정서	2011.09.30	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2011-0767285-90
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.09.30	수리 (Accepted)	1-1-2011-0767282-53
12	등록결정서	2011.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0628370-48
13	출원인정보변경(경정)신고서	2012.07.31	수리 (Accepted)	4-1-2012-5164104-34
14	출원인정보변경(경정)신고서	2012.07.31	수리 (Accepted)	4-1-2012-5164108-16
15	출원인정보변경(경정)신고서	2013.11.11	수리 (Accepted)	4-1-2013-5149764-85
16	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5260250-39
17	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.18	수리 (Accepted)	4-1-2020-5134633-04


기술번호	KST2014033723
자료제공기관	NTB
기술공급기관	대구경북과학기술원
기술명	ＣＩＧＳ 박막 제조 방법과 ＣＩＧＳ 박막 태양전지
기술개요	본 발명의 실시예는, PVA(poly vinyl alcohol)가 포함된 전착용액과 -1 ~ 5V 범위의 직류(DC) 전압 조건으로 실시되는 전착법으로 태양전지용 CuXInYGaZSeN (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) 층의 광흡수층 형성을 위해 금속 전구체를 이용하여 이온화된 구리(Cu), 인듐(In), 칼슘(Ca), 셀렌(Se) 성분을 전착하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조 방법을 제공한다. PVA, 전착용액, 광흡수층, CIGS
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	전기전자
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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