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전기화학적 에칭을 위한 식각 구멍 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014033726
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학적 식각에 사용될 식각 구멍 형성 방법에 관한 것이다. 상기 식각 구멍 형성 방법은, (a) 반도체 기판위에 폴리스티렌을 도포하여 반도체 기판위에 주기적이면서 규칙적으로 폴리스티렌 입자(Polystyrene bead)를 형성하는 단계; (b) 폴리스티렌 입자가 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계; (c) 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)이 형성될 때까지 폴리스티렌 입자를 식각용 마스크로 하여 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하는 단계; (d) 폴리스티렌 입자를 제거하는 단계; (e) 역피라미드 모양의 식각 구멍이 형성된 표면과 대향되는 반도체 기판의 표면에 전극층을 증착하는 단계;를 구비한다. 본 발명에 의하여, 보다 단순화된 공정으로 전기화학적 식각에 사용될 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)을 규칙적이면서 주기적으로 형성할 수 있게 된다. 전기화학적 식각, 식각 구멍, 폴리스티렌
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020090126665 (2009.12.18)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1080612-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2011-0070026 (2011.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장환수 대한민국 대구광역시 달서구
2 김재현 대한민국 대구광역시 달서구
3 우성호 대한민국 대구광역시 북구
4 백성호 대한민국 대구광역시 동구
5 최호진 대한민국 대구광역시 북구
6 김성빈 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0783872-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0244875-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0506933-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0506944-71
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0628775-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체 기판위에 폴리스티렌을 도포하여 반도체 기판위에 주기적이면서 규칙적으로 폴리스티렌 입자(Polystyrene bead)를 형성하는 단계; (b) 폴리스티렌 입자가 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계; (c) 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)이 형성될 때까지 폴리스티렌 입자를 식각용 마스크로 하여 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하는 단계; (d) 폴리스티렌 입자를 제거하는 단계; (e) 역피라미드 모양의 식각 구멍이 형성된 표면과 대향되는 반도체 기판의 표면에 전극층을 증착하는 단계; 를 구비하고, 상기 (b) 단계는 폴리스티렌 입자가 반도체 기판의 표면에 안정되게 접합될 때까지 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 주기적이고 규칙적으로 정렬된 전기화학적 식각용 식각 구멍 형성 방법
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삭제
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(a) 피라미드 모양의 패턴이 주기적이면서 규칙적으로 형성된 스탬프를 제작하는 단계; (b) 반도체 기판위에 포토 레지스트를 도포하는 단계; (c) 상기 포토 레지스트의 상부 표면에 상기 스탬프를 역전사시키는 단계; (d) 상기 스탬프의 역전사에 의해 역피라미드 모양의 패턴이 주기적이면서 규칙적으로 형성된 포토 레지스트를 식각용 마스크로 하여, 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하여 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 식각 구멍들을 주기적이면서 규칙적으로 형성하는 단계; (e) 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계; (f) 상기 식각 구멍이 형성된 표면과 대향되는 반도체 기판의 표면에 전극을 도포하는 단계; 를 구비하여, 주기적이고 규칙적으로 정렬된 전기화학적 식각용 식각 구멍 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, (a) 피라미드 모양의 패턴이 주기적이면서 규칙적으로 형성된 스탬프를 제작하는 단계는, (a1) 반도체 기판위에 폴리스티렌을 도포하여 반도체 기판위에 주기적이면서 규칙적으로 폴리스티렌 입자(Polystyrene bead)를 형성하는 단계; (a2) 폴리스티렌 입자가 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계; (a3) 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 패턴이 규칙적으로 형성될 때까지 폴리스티렌 입자를 식각용 마스크로 하여 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하는 단계; (a4) 폴리스티렌 입자를 제거하는 단계; (a5) 상기 역피라미드 모양의 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면에 스탬프용 물질을 일정 두께로 증착하는 단계; (a6) 상기 스탬프용 물질을 반도체 기판으로부터 분리하여 스탬프를 완성하는 단계; 를 구비하여, 피라미드 모양의 패턴이 형성된 스탬프를 제작하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 식각용 식각 구멍 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 스탬프는 실리콘, 금속, PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate)물질 중 하나로 제작되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 식각용 식각 구멍 형성 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 대구경북과학기술원 기관고유사업 고효율나노에너지소재 및 소자 개발