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비휘발성 저항변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014033747
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 활성층은 In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100109706 (2010.11.05)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1069124-0000 (2011.09.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손대호 대한민국 경기도 의정부시
2 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
3 정은애 대한민국 대구광역시 북구
4 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
5 강진규 대한민국 대구광역시 중구
6 김정혜 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0723413-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0067059-12
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0542954-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부전극 및 하부전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자에 있어서,상기 활성층은In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 활성층은 사원계 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 활성층은 TaInZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자
4 4
제 1항에 있어서상기 상부전극 및 하부 전극은 Pt, Ir, Au, Ag 중 적어도 하나와, ZnO, AlZnO 및 ITO 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자
5 5
제 1항에 있어서 상기 비휘발성 저항변화 메모리 소자는 메모리 셀을 제어하는 박막 트랜지스터를 포함하며,상기 박막 트랜지스터의 활성화 영역은 상기 활성층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변환 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막은 HfO2, HfON, Al2O3, ZrO2, 또는 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 활성층의 두께는 50 nm 이상 150 nm 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.