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박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2014033748
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 칼코지나이드계 반도체 화합물이 상기 제1 전극 상에 전착(電着)되어 형성된 전착막으로 이루어진 P형 반도체층, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020080105790 (2008.10.28)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1069109-0000 (2011.09.23)
공개번호/일자 10-2010-0046777 (2010.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한윤수 대한민국 대구시 수성구
2 정선주 대한민국 경북 구미시
3 김참 대한민국 대구시 달서구
4 김기수 대한민국 대구시 남구
5 최병대 대한민국 대구시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0747668-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0023078-14
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0402640-03
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0704777-07
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0704769-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0100904-91
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0134005-54
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0134002-17
15 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0535658-33
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층; 상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 소다회 유리, 스테인레스스틸, 티타늄, 구리테이프 및 고분자 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 몰리브덴 전극인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 칼코지나이드계 반도체 화합물은 CuInSe2, CuGaSe2, CuAlSe2, CuInS2, CuGaS2, Cu(In, Ga)Se2, Cu(In, Ga)S2, CuInTe2 및 CuGaTe2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속 수화물은 나트륨 수화물인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체 사이에 상기 P형 반도체 및 N형 반도체를 접합하기 위한 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
8 8
제7항에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, ZnS, Zn(O,S), ZnSe, (Zn, In)Se, In(OH,S) 및 In2S3 로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 N형 반도체 상에는 반사 방지막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
10 10
기판 상에 P측 전극을 형성하는 단계; 분산 용매, 칼코지나이드계 반도체 화합물, 물 및 금속염을 혼합하는 전착액 준비 단계; 상기 전착액 내에 상기 P측 전극 및 전착 전극을 마주보도록 배치하는 단계; 및 상기 P측 전극 및 전착 전극에 전압을 인가하여 상기 P측 전극 및 전착 전극 사이에 직류 전계를 형성하여 상기 P측 전극 상에 전착 막인 P형 반도체층을 형성하는 전착 단계를 포함하는 박막 태양 전지의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 전착액은, 상기 분산 용매 60 내지 95 중량%; 상기 칼코지나이드계 화합물 0
12 12
제11항에 있어서, 상기 분산 용매는 알코올 또는 케톤인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 금속염은 금속아세테이트(metal acetate), 금속카보네이트(metal carbonate), 금속나이트레이트(metal nitrate), 금속설페이트(metal sulfate), 금속옥살레이트(metal oxalate), 금속알콕사이드(metal alkoxide), 금속할라이드(metal halide) 등으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 P형 반도체층을 50 내지 700℃ 하에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.