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다층 구조 소자의 층의 커버율 검출 방법(METHOD FOR DETECTING COVERAGE OF A LAYER OF A MULTILAYER-STRUCTURED DEVICE)

  • 기술번호 : KST2014034254
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층 구조 소자에서 제1 층 상의 제2 층의 커버율을 제2 층 상의 제3 층의 결정화율에 기초하여 검출하는 다층 구조 소자를 구성하는 층의 커버율 검출 방법에 관한 것이다. 본 발명에서 다층 구조 소자는 기판과, 기판 상에 피착된 제1 층과 제1 층 상에 피착된 제2 층 및 제2 층 상에 피착된 제3 층을 포함하고, 제1 층 상의 제2 층의 커버율은 제3 층의 결정화율에 의해 결정된다. 이때, 제3 층의 결정화율은 X-선 회절을 측정함으로써 구할 수 있다. 다층 구조 소자, 커버율, X-선 회절
Int. CL H01L 21/66 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01)
출원번호/일자 1020090100451 (2009.10.21)
출원인 서강대학교산학협력단, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1106361-0000 (2012.01.09)
공개번호/일자 10-2009-0128353 (2009.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2007-0091223 (2007.09.07)
관련 출원번호 1020070091223
심사청구여부/일자 Y (2009.10.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영주 대한민국 서울 마포구
2 김현정 대한민국 경기 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2009.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0645946-85
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0083927-84
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0698975-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0022506-80
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0169136-01
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0243928-69
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0314201-39
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0390604-96
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2010.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0057324-22
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0463915-70
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0464208-23
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0686772-56
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0169734-75
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0406139-10
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0493199-67
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0582880-18
17 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0707411-19
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
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번호 청구항
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다층 구조 소자를 구성하는 층의 커버율 검출 방법이며, 다층 구조 소자는, 기판과, 기판 상에 피착된 제1 층과, 제1 층 상에 피착된 제2 층, 및 제2 층 상에 피착된 제3 층 을 포함하고, X-선 회절에 의해 검출된 제2 층에 의해 유도된 제3 층의 결정화율에 기초하여 제2 층의 제1 층에 대한 커버율을 검출하는, 커버율 검출 방법
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8 8
제6항에 있어서, 제2 층의 커버율이 증가할수록 제3 층의 결정화율이 증가하는, 커버율 검출 방법
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제6항에 있어서, 제3 층의 결정화율이 포화되면 제2 층의 커버율은 100%로 결정되는, 커버율 검출 방법
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11 11
제6항, 제8항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 기판은 ITO 코팅된 유리 기판이고, 제1 층은 Alq3이고, 제2 층은 LiF이고, 제3 층은 Al인, 커버율 검출 방법
12 12
제6항에 있어서, 제2 층은 제3 층의 결정화를 방해하는, 커버율 검출 방법
13 13
제6항에 있어서, 제2 층의 커버율이 증가할수록 제3 층의 결정화율이 감소하는, 커버율 검출 방법
14 14
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15 15
다층 구조 소자의 제조 방법으로서, 기판 상에 제1 층을 피착하는 단계와 제1 층 상에 제2 층을 피착하는 단계, 및 제2 층 상에 제3 층을 피착하는 단계 를 포함하고, 제6항, 제8항, 제9항, 제12항 또는 제13항 중 어느 한 항에 따른 커버율 검출 방법에 의해 검출된 제2 층의 제1층에 대한 커버율을 제공하는 두께로 제2 층을 제1 층 상에 피착하는, 다층 구조 소자의 제조 방법
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1 KR101135292 KR 대한민국 FAMILY
2 US08906707 US 미국 FAMILY
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4 WO2009031736 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2011012163 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8906707 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 연세대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2006년 기술기반구축사업) 나노 기술을 이용한 바이오 융합산업 혁신 클러스터