맞춤기술찾기

이전대상기술

마그네트론 스퍼터링 증착 장치 및 마그네트론 스퍼터링 증착 시스템 (MAGNETRON SPUTTERING DEPOSITION APPARATUS AND MAGNETRON SPUTTERING DEPOSITION SYSTEM)

  • 기술번호 : KST2014034256
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판을 수용하는 챔버; 상기 기판을 향하여 타겟 물질을 방출시키는 스퍼터 건; 및 상기 타겟 물질의 이동 경로를 향하여 이온 빔을 방출시키는 이온 건을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치로서, 상기 이온 건은 복수개 마련되며, 상기 기판 상에 적층되는 타겟 물질의 결정성 및 결정방향을 제어하기 위하여, 상기 이온 건에서 방출되는 이온 빔의 세기, 상기 이온 건의 위치, 또는 상기 이온 건의 배향이 조절 가능한 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치가 제공된다.
Int. CL C23C 14/22 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/46 (2006.01)
CPC C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01)
출원번호/일자 1020100078943 (2010.08.16)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1243273-0000 (2013.03.07)
공개번호/일자 10-2012-0016510 (2012.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.16)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤경병 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0526230-14
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060126-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0200475-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0403524-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0403523-60
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0591061-23
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-1003507-92
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1003508-37
11 등록결정서
Decision to grant
2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0079347-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 수용하는 챔버;상기 기판을 향하여 타겟 물질(target material)을 방출시키는 스퍼터 건(sputter gun); 및상기 타겟 물질의 이동 경로를 향하여 이온 빔(ion beam)을 방출시키는 이온 건(ion gun)을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치로서,상기 이온 건은 복수개 마련되며,상기 복수개의 이온 건 중 2개의 상기 이온 건은 상기 챔버의 상부 벽에 배치거나, 또는 상기 복수개의 이온 건 중 2개의 상기 이온 건은 상기 챔버의 상부 벽 및 일측 벽에 각각 배치되고, 상기 기판 상에 적층되는 타겟 물질의 결정성 및 결정방향을 제어하기 위하여, 상기 이온 건에서 방출되는 이온 빔의 세기(intensity), 상기 이온 건의 위치, 또는 상기 이온 건의 배향이 조절 가능한 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 스퍼터 건은, 영구자석, 및 상기 영구자석의 양측면에 배치된 전자기 코일(electromagnetic coil)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이온 건은 3개 마련되며, 3개의 상기 이온 건은 상기 챔버의 상부벽 및 두 측벽에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 타겟 물질은 금속, 합금, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 황화물, 금속 인화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이온 빔은 가스류의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치
8 8
제 1 항에 따른 마그네트론 스퍼터링 증착 장치를 이용한 마그네트론 스퍼터링 증착 방법에 있어서, 스퍼터 건으로부터 방출되어 기판으로 향하는 타겟 물질로 운동에너지를 전달하는 이온 빔을 방출시키는 2개 이상의 이온 건을 포함하며, 상기 2개 이상의 이온 건에 의하여 기판 상에 적층되는 타겟 물질의 결정성 및 결정방향이 제어되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 기후변화대응기술개발사업-기초원천기술개발사업 인공광합성 구현과 실용화를 위한 기초과학 확보 및 원천기술 개발