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게이트 부트스트래핑 회로 및 서브 레인징 기법을 이용한 파이프라인 구조의 ADC (Pipeline ADC using a gate-bootstrapping circuit and sub-ranging)

  • 기술번호 : KST2014034374
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파이프라인 구조의 ADC에 관한 것으로서, 복수의 FLASH ADC들과 복수의 MDAC들을 포함하는 N(N은 자연수) 단으로 구성된 파이프라인 구조의 ADC에 있어서, 첫 번째 단의 제 1 FLASH ADC와 첫 번째 단의 제 1 MDAC의 입력단 샘플링 스위치에 동일한 게이트 부트스트래핑 회로를 적용하는 것을 특징으로 하며, 샘플링 부정합 현상을 최소화하는 동시에 신호의 왜곡 없이 입력 신호를 샘플링할 수 있으며, 증폭기의 개수를 최소한으로 사용하여 전체 전력 소모를 줄일 수 있다.
Int. CL H03M 1/14 (2006.01)
CPC H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01) H03M 1/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100027824 (2010.03.29)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1352767-0000 (2014.01.09)
공개번호/일자 10-2011-0108562 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.29)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승훈 대한민국 서울특별시 용산구
2 박승재 대한민국 충청북도 충주시
3 이동석 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0197717-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0007773-08
4 보정요구서
Request for Amendment
2011.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0368527-98
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0594198-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0188943-35
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0427527-04
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0517327-13
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0603635-11
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0688191-55
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0109968-37
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0797244-11
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0797243-65
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0121906-98
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0345443-01
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0438499-05
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0548646-12
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0651933-16
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0757870-80
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0757887-55
21 등록결정서
Decision to grant
2013.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0848584-85
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 FLASH ADC들과 복수의 MDAC들을 포함하는 N(N은 자연수) 단으로 구성된 파이프라인 구조의 ADC에 있어서,첫 번째 단의 제 1 FLASH ADC와 상기 첫 번째 단의 제 1 MDAC의 입력단 샘플링 스위치에 동일한 게이트 부트스트래핑 회로를 적용하고,상기 N 단은,하나의 FLASH ADC와 하나의 MDAC로 구성되는 N-1 개의 단, 및 하나의 FLASH ADC로 구성되는 마지막 단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 FLASH ADC는상기 제 1 FLASH ADC로 입력되는 입력신호와 상기 제 1 FLASH ADC의 기준 전압을 비교하는 비교기를 포함하고,상기 비교기는 상기 입력신호와 상기 기준전압의 차이를 증폭하는 프리앰프를 포함하는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
4 4
제 1 항에 있어서,서로 중첩되지 않는 클록 Q1 및 Q2를 발생시키는 클록 발생기를 더 포함하고,상기 클록 Q1은,상기 제 1 FLASH ADC의 입력신호 및 상기 제 1 MDAC의 입력신호를 샘플링하는 클록인 클록 Q1X; 및상기 제 1 FLASH ADC가 상기 제 1 FLASH ADC로 입력되는 입력신호와 상기 제 1 FLASH ADC의 기준전압의 차이를 증폭하는 클록인 클록 Q1Y로 구성되는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
5 5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 FLASH ADC들은 첫 번째 단의 제 1 FLASH ADC, 두 번째 단의 제 2 FLASH ADC, 및 세 번째 단의 제 3 FLASH ADC로 구성되고,상기 복수의 MDAC들은 상기 첫 번째 단의 제 1 MDAC와 상기 두 번째 단의 제 2 MDAC로 구성되는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 FLASH ADC 및 상기 제 2 FLASH ADC는 각각 4비트씩을 결정하고, 상기 제 3 FLASH ADC는 6비트를 결정하는 것을 특징으로 하는 3단 파이프라인 구조를 갖는 파이프라인 구조의 ADC
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제 1 MDAC와 상기 제 2 MDAC는 2단 증폭기를 공유하고 상기 제 1 MDAC의 입력단과 상기 제 2 MDAC의 입력단을 별도로 갖는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
8 8
제 5 항에 있어서,제 1 클록 동안 상기 제 1 MDAC은 상기 제 1 MDAC에 입력되는 신호를 샘플링하여 저장하는 한편, 상기 제 2 MDAC는 출력 잔류 전압을 증폭하여 생성하고,제 2 클록 동안 상기 제 1 MDAC는 출력 잔류 전압을 증폭하여 생성하는 한편, 상기 제 2 MDAC는 상기 제 1 MDAC의 출력 잔류 전압을 샘플링하여 저장하고,상기 제 1 MDAC와 상기 제 2 MDAC가 공유하는 2단 증폭기의 입력단에 위상의 일부가 중첩되는 클록을 사용하는 스위치가 연결되고,상기 제 1 클록과 상기 제 2 클록이 상기 위상의 일부가 중첩되는 클록인 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
9 9
제 8 항에 있어서,상기 위상의 일부가 중첩되는 시간 동안 상기 제 1 MDAC과 상기 제 2 MDAC이 포함하는 NMOS 입력 트랜지스터를 미리 켜는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
10 10
제 1 항에 있어서,상기 N 단의 제 N FLASH ADC는 상기 제 N FLASH ADC에 입력되는 입력신호와 기준전압을 비교하여 디지털 코드를 생성하고, 상기 디지털 코드의 생성은 MSB를 처리한 다음 LSB를 처리하는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
11 11
제 10 항에 있어서,상기 디지털 코드의 생성은 MSB 1비트를 처리한 다음 나머지 LSB를 처리하는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
12 12
제 10 항에 있어서,상기 복수의 FLASH ADC들은 첫 번째 단의 제 1 FLASH ADC, 두 번째 단의 제 2 FLASH ADC, 및 세 번째 단의 제 3 FLASH ADC로 구성되고,상기 복수의 MDAC들은 상기 첫 번째 단의 제 1 MDAC와 상기 두 번째 단의 제 2 MDAC로 구성되는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 FLASH ADC 및 상기 제 2 FLASH ADC는 각각 4비트씩을 결정하고, 상기 제 3 FLASH ADC는 6비트를 결정하는 것을 특징으로 하는 3단 파이프라인 구조를 갖는 파이프라인 구조의 ADC
14 14
제 10 항에 있어서,서로 중첩되지 않는 클록 Q1 및 Q2를 발생시키는 클록 발생기를 더 포함하고,상기 제 N FLASH ADC는제 1 Q2 동안 상기 ADC의 기준신호의 가운데 값에 해당하는 중간 신호를 샘플링하고,제 1 Q1 동안 상기 중간 신호와 상기 제 N FLASH ADC로 입력되는 입력신호를 비교하여 상기 MSB에 대응하는 디지털 코드를 생성하고, 상기 제 N FLASH ADC로 입력되는 입력신호를 샘플링하며,제 2 Q2 동안 상기 LSB를 결정하는데 사용되는 기준신호가 상기 MSB에 대응하는 디지털 코드에 따라 선택되고, 상기 제 N FLASH ADC로 입력되는 입력신호와 상기 LSB를 결정하는데 사용되는 기준신호를 비교하여 상기 LSB에 대응하는 디지털 코드를 생성하는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
15 15
제 12 항에 있어서,상기 제 1 MDAC와 상기 제 2 MDAC는 2단 증폭기를 공유하고 상기 제 1 MDAC의 입력단과 상기 제 2 MDAC의 입력단을 별도로 갖는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
16 16
제 12 항에 있어서,제 1 클록 동안 상기 제 1 MDAC은 상기 제 1 MDAC에 입력되는 신호를 샘플링하여 저장하는 한편, 상기 제 2 MDAC는 출력 잔류 전압을 증폭하여 생성하고,제 2 클록 동안 상기 제 1 MDAC는 출력 잔류 전압을 증폭하여 생성하는 한편, 상기 제 2 MDAC는 상기 제 1 MDAC의 출력 잔류 전압을 샘플링하여 저장하고,상기 제 1 MDAC와 상기 제 2 MDAC가 공유하는 2단 증폭기의 입력단에 위상의 일부가 중첩되는 클록을 사용하는 스위치가 연결되고,상기 제 1 클록과 상기 제 2 클록이 상기 위상의 일부가 중첩되는 클록인 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
17 17
제 16 항에 있어서,상기 위상의 일부가 중첩되어 상기 제 1 클록과 상기 제 2 클록이 동시에 켜지는 시간 동안 상기 제 1 MDAC과 상기 제 2 MDAC이 공유하는 2단 증폭기의 입력단에 위치한 NMOS 입력 트랜지스터를 미리 켜는 것을 특징으로 하는 파이프라인 구조의 ADC
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.