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저전력 응용을 위한 터널링 전계효과 트랜지스터 (TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR LOW POWER APPLICATIONS)

  • 기술번호 : KST2014034391
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터널링 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소스영역과 채널영역이 서로 마주보는 구조를 채택함으로써, 터널링 전류가 흐르는 면적을 증가시켜 구동전류의 향상은 물론 터널링 접합 두께가 소스와 채널 사이의 매우 얇은 반도체 막의 두께로 규정되어 급격한 구동전류의 변화를 가능하게 할 수 있어, 저전력 고효율 전자제품에 응용될 수 있는 터널링 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/768 (2006.01)
CPC H01L 29/7391(2013.01) H01L 29/7391(2013.01) H01L 29/7391(2013.01)
출원번호/일자 1020100030976 (2010.04.05)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1137259-0000 (2012.04.10)
공개번호/일자 10-2011-0111743 (2011.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최우영 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0216080-24
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0312021-52
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0557911-59
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0557902-48
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0087019-82
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
함몰 부위를 갖는 반도체 기판과;상기 반도체 기판의 함몰 부위 상에 일정 두께로 형성된 반도체층과;상기 반도체층 상에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 상에 상기 함몰부위를 채우며 형성된 게이트와;상기 게이트 양측으로 상기 반도체 기판에 형성된 P+ 영역과 N+ 영역을 포함하여 구성된 터널링 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 게이트는 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층이 라운드 형상으로 둘러싸며 상기 P+ 영역과 상기 N+ 영역을 접하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
3 3
일측이 돌출된 메사 구조를 갖는 반도체 기판과;상기 반도체 기판 상에 일정 두께로 형성된 반도체층과;상기 반도체층 상에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 상의 상기 반도체 기판의 측벽에 형성된 게이트와;상기 게이트 양측으로 상기 반도체 기판에 형성된 P+ 영역과 N+ 영역을 포함하여 구성된 터널링 전계효과 트랜지스터
4 4
제 3 항에 있어서,상기 P+ 영역 또는 상기 N+ 영역이 돌출되고,상기 게이트는 돌출된 상기 P+ 영역 또는 상기 N+ 영역의 측벽과 접하도록 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 반도체 기판과 동일한 타입의 반도체 물질이고 상기 게이트에 인가되는 전압에 따라 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
6 6
제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판은 SOI 기판 또는 벌크 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 특정연구개발사업 고에너지 효율의 IC 구현을 위한 차세대 녹색 터널링 트랜지스터 개발