1 |
1
이온성 고분자막; 및 외부 전압을 상기 이온성 고분자막에 전달하기 위하여, 상기 이온성 고분자막을 사이에 두고 서로 대향하는 상기 이온성 고분자막의 양면에 각각 전기적으로 분리되게 형성되는 탄소나노튜브-그라핀 합성물질로 이루어진 전극층;을 포함하며, 상기 전극층에 전압 인가 시 상기 이온성 고분자막은 굽힘 변형이 일어나며, 상기 전극층은 탄소나노튜브 및 그라핀을 에탄올을 용매로하여 형성된 용액 상태의 탄소나노튜브-그라핀 용액을 상기 이온성 고분자막 표면에 제공하고, 베이킹하여 제공되는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자막은 이온성 기를 가지는 불화탄소계 고분자 또는 이온성 기를 가지는 스티렌/디비닐벤젠계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 전극층 상에 형성되는 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체
|
4 |
4
이온성 고분자막을 제공하는 단계; 및 상기 이온성 고분자막을 사이에 두고 서로 대향하는 상기 이온성 고분자막의 양 표면에 각각 전기적으로 분리되게 탄소나노튜브-그라핀 합성물질을 이용하여 전극층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 전극층은 탄소나노튜브 및 그라핀을 에탄올을 용매로하여 형성된 용액 상태의 탄소나노튜브-그라핀 용액을 상기 이온성 고분자막 표면에 제공하고, 베이킹하여 제공되는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체의 제조방법
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 이온성 고분자막으로써 이온성 기를 가지는 불화탄소계 고분자 또는 이온성 기를 가지는 스티렌/디비닐벤젠계 고분자를 이용하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체의 제조방법
|
6 |
6
제4항에 있어서, 상기 전극층 상에 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체의 제조방법
|
7 |
7
삭제
|
8 |
8
제4항에 있어서,상기 탄소나노튜브-그라핀 합성물질 중 그라핀은, 흑연을 산화시키고, 초음파를 이용하여 한층의 산화된 흑연을 환원하여 제공하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체의 제조방법
|
9 |
9
제4항에 있어서,상기 전극층을 형성한 후, 상기 이온성 고분자막 내의 수소 이온을 양이온으로 치환하는 이온 치환 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자 복합체의 제조방법
|