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고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 나노기공 초저유전 박막 (METHOD FOR PREPARING NANOPOROUS ULTRA LOW DIELECTRIC FILM INCLUDING HIGH TEMPERATURE OZONE TREATMENT, AND NANOPOROUS ULTRA LOW DIELECTRIC FILM PREPARED THEREBY)

  • 기술번호 : KST2014034521
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 나노기공 초저유전 박막이 제공되며, 상기 제조 방법은 유기 실리케이트 매트릭스-함유 용액과 반응성 포라젠-함유 용액을 혼합하여 혼합용액을 준비하고; 상기 혼합용액을 기재 상에 도포하여 박막을 형성하고; 상기 박막을 열처리하며, 상기 열처리 과정 중에 오존 처리를 수행하는 것:을 포함하며, 이러한 제조 방법에 의하여 제조된 나노기공 초저유전 박막은, 고온의 오존 처리 및 처리온도의 최적화에 따른 박막 내의 기공의 크기와 분포도의 개선을 통해 2.3 이하의 유전율과 10 GPa 이상의 기계적 강도를 가질 수 있다.
Int. CL C08J 7/04 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110011397 (2011.02.09)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1108647-0000 (2012.01.16)
공개번호/일자 10-2011-0093669 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100011830   |   2010.02.09
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희우 대한민국 서울특별시 서초구
2 신보라 대한민국 서울특별시 마포구
3 최규윤 대한민국 서울특별시 서초구
4 김범석 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0091857-84
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0012003-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
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번호 청구항
1 1
유기 실리케이트 매트릭스-함유 용액과 반응성 포라젠(porogen)-함유 용액을 혼합하여 혼합용액을 준비하고;상기 혼합용액을 기재 상에 도포하여 박막을 형성하고; 상기 박막을 열처리하며, 상기 열처리 과정 중에 오존 처리를 수행하는 것:을 포함하는, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 유기 실리케이트 매트릭스는 알킬트리알콕시실란 (alkyltrialkoxysilane)과 비스(트리알콕시실릴)알칸 [bis(trialkoxysilyl)alkane]의 공중합체인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반응성 포라젠은, 유리 폴리올계 화합물; 환원당계 화합물; 및 이들의 조합으로부터 선택된 것의 말단의 하이드록실기가 트리알콕시실릴알킬기로 치환된 것을 포함하는 것인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 혼합용액을 기재 상에 도포하는 것은 스핀 코팅법에 의하여 수행하는 것인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 오존 처리는 100℃ 내지 250℃의 온도에서 수행되는 것인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 경화 과정을 포함하는 것인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 열처리는, 용매 제거 및 상기 유기 실리케이트 매트릭스의 축합반응의 유도를 위한 제 1 경화; 상기 제1 경화 보다 높은 온도에서 수행되고 기공의 도입 및 경화밀도의 증가를 위한 제 2 경화; 및, 상기 제2 경화 보다 높은 온도에서의 최종 열처리를 포함하는 것인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 오존 처리는 상기 제 1 경화 과정 또는 제 2 경화 과정 중에 수행되는 것인, 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의하여 제조되는, 나노기공 초저유전 박막
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 박막은 유전율이 2
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102859666 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102859666 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2013518982 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5730910 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2013101825 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9679761 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2011099768 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2011099768 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국생산기술연구원 부품소재산업경쟁력향상사업 핵심소재원천기술개발사업 - 화학소재의 내열/수축 특성 및 유전특성 제어기술