맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

다공성 탄소 구조체

  • 기술번호 : KST2014034526
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법 및 이에 의한 다공성 탄소 구조체가 제공되며, 상기 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법은 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 형성된 포토레지스트층에 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 광간섭 패턴을 조사하여 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴에 무기물을 코팅하는 단계; 상기 무기물이 코팅된 포토레지스트 패턴을 가열하여 탄화시키는 단계; 및 상기 코팅된 무기물을 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/70408(2013.01)
출원번호/일자 1020100006672 (2010.01.25)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1207020-0000 (2012.11.26)
공개번호/일자 10-2011-0087163 (2011.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.25)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 구로구
2 진우민 대한민국 부산광역시 해운대구
3 신주환 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0050572-37
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0503185-55
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0869770-92
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0869769-45
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0203151-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0365594-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0365595-55
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0631039-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 형성된 포토레지스트층에 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 광간섭 패턴을 조사함으로써 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 3차원 다공성 포토레지스트 패턴에 무기물을 코팅하는 단계;상기 무기물이 코팅된 포토레지스트 패턴을 가열하여 탄화시키는 단계; 및상기 코팅된 무기물을 제거하여 다공성 탄소 구조체를 수득하는 단계를 포함하는,광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 3차원 광간섭 패턴이 조사된 상기 포토레지스트 층을 현상하는 것을 추가 포함하는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 3차원 광간섭 패턴은, 상기 포토레지스트 층에 광로차를 갖는 4개의 간섭성 평행광을 조사하여 형성되는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 형성되는 3차원의 다공성 포토레지스트 패턴의 격자 상수는, 상기 조사되는 간섭성 평행광의 입사각에 따라 조절되는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 형성되는 3차원의 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 크기는, 상기 조사되는 간섭성 평행광의 세기 및 조사 시간에 따라 조절되는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴은, 상기 포토레지스트층에 3차원의 기공이 규칙적으로 배열된 3차원 면심입방 구조로 형성되는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 무기물을 코팅하는 단계는, 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 수분을 흡착시킨 후 무기물 전구체를 포함하는 증기(vapor)에 노출하는 것을 1 회 이상 수행하고, 소결 공정에 의하여 수분을 제거함으로써 무기물을 코팅하는 것을 포함하는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 무기물은, 실리카, 타이타니아, 지르코니아, 알루미나, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 포토레지스트층에 서로 상이한 주기를 갖는 두 개 이상의 3차원 광간섭 패턴을 중첩 조사하여 상기 포토레지스트층에 멀티스케일 격자 패턴을 형성하는 것을 포함하는 것인, 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되어 균일한 3차원 기공 배열을 가지며, 탄화 처리되어 96% 이상의 탄소를 함유하는, 다공성 탄소 구조체
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09217935 US 미국 FAMILY
2 US20130029130 US 미국 FAMILY
3 WO2011090233 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013029130 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9217935 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2011090233 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술평가원 / 한국연구재단 성균관대학교산학협력단 / 서강대학교산학협력단 지식경제 기술혁신사업(신재생에너지기술개발사업) / 기초연구사업-일반연구자지원사업-신진연구지원사업 나노구조의 고활성 탄소전극제조 / 연료전지에 응용가능한 멀티스케일 미세구조의 탄소전극 형성 및 특성연구