맞춤기술찾기
이전대상기술
광전극, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 (PHOTOELECTRODE, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME)
- 기술번호 : KST2014034528
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 광전극, 상기 광전극의 제조 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 나노미터 내지 마이크로미터 범위의 기공이 연결된 3차원 다공성 광전극, 광간섭 리소그래피 및 콜로이드 입자의 자기조립법을 이용하여 상기 광전극을 제조하는 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020100062247 (2010.06.29) |
| 출원인 | 서강대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1177399-0000 (2012.08.21) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0001456 (2012.01.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120827) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.06.29) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서강대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 문준혁 | 대한민국 | 서울특별시 구로구 |
| 2 | 조창열 | 대한민국 | 인천광역시 연수구 |
| 3 | 진우민 | 대한민국 | 부산광역시 해운대구 |
| 4 | 강지환 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
| 5 | 신주환 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서강대학교산학협력단 | 서울특별시 마포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.06.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0420828-54 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.02.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0089013-74 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.05.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.06.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0054945-45 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0742514-78 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0120304-63 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.02.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0120306-54 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0438963-91 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5005781-67 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5014626-89 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 전도성 투명 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하고;상기 포토레지스트 층에 3차원 광간섭 패턴을 조사하는 것을 포함하는 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하고;상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 내에 고분자 콜로이드 입자를 삽입하여 고분자 콜로이드 자기조립체를 형성하고;상기 고분자 콜로이드 자기조립체가 형성된 3차원 다공성 포토레지스트 패턴 내로 전이금속 산화물 전구체를 주입하고; 및가열 소성 공정을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 고분자 콜로이드 자기조립체를 제거하여 복수의 다공성 전이금속 산화물 구형 구조체를 포함하는 3차원 다공성 전이금속 산화물 층을 형성하는 것:을 포함하는, 광전극의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 층을 형성하기 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공의 크기는 수십 나노미터 내지 수 마이크로미터 범위인, 광전극의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자의 크기는 상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공의 크기보다 작은 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 3차원 광간섭 패턴은 단순입방구조, 면심입방구조 또는 체심입방구조를 가지는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 층은 포지티브 타입(positive type)의 포토레지스트 레지스트 또는 네거티브 타입(negative type) 포토레지스트를 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 것은, 노광후 베이킹(post-exposure baking) 및 현상(development) 공정을 추가 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공의 크기는 상기 3차원 광간섭 패턴의 조사 시간에 의하여 조절되는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공의 크기는 상기 노광후 베이킹 시간에 의하여 조절되는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 화합물을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 자기조립체를 형성하는 것은, 상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴에 상기 고분자 콜로이드 입자가 분산된 용액을 코팅하는 것을 포함하는 공정에 의하여 수행되는 것인, 광전극의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 내에 고분자 콜로이드 입자를 삽입하기 전에, 상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 표면을 친수성으로 개질하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 3차원 다공성 전이금속 산화물 층에 감광성 염료를 흡착시키는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법 |
| 15 |
15 전도성 투명 기판 상; 및상기 전도성 투명 기판 상에 형성된, 복수의 다공성 전이금속 산화물 구형 구조체를 포함하는 3차원 다공성 전이금속 산화물 층:을 포함하며,상기 복수의 다공성 전이금속 산화물 구형 조립체들 사이의 기공들이 서로 연결되어 있고, 상기 구형 구조체 각각의 내부의 기공들이 서로 연결되어 있으며, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된, 광전극 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판과 상기 3차원 다공성 전이금속 산화물 층 사이에 형성된 차단층을 추가 포함하는, 광전극 |
| 18 |
18 제 15 항에 있어서,상기 복수의 다공성 전이금속 산화물 구형 구조체는 단순입방구조, 면심입방구조 또는 체심입방구조로 배열되어 있는 것인, 광전극 |
| 19 |
19 제 15 항에 있어서,상기 다공성 전이금속 산화물 구형 구조체 각각에 포함된 기공의 크기는 10 nm 내지 300 nm인, 광전극 |
| 20 |
20 제 15 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극 |
| 21 |
21 제 15 항에 있어서,상기 3차원 다공성 전이금속 산화물 층에 흡착된 감광성 염료를 추가 포함하는, 광전극 |
| 22 |
22 제 21 항에 따른 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 광전극과 상기 상대 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지 |
| 23 |
23 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 광전극과 상기 상대전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법에 있어서, 제 14 항에 따른 방법에 의하여 상기 광전극을 제조하고;상기 광전극에 이격되어 상대전극을 대향시키고;상기 광전극과 상기 상대전극 사이에 전해질을 주입하는 것:을 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2012002697 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 2 | WO2012002697 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2012002697 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2012002697 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부(한국연구재단) / 한국에너지기술평가원 / 교육과학기술부(재단법인 한국연구재단) | 서강대학교 / 서강대학교산학협력단 / 서강대학교산학협력단 | 일반연구자지원사업 / 에너지자원인력양성사업 / 기초연구과제지원사업 | 광밴드갭에 의해 광흡수율이 극대화된 고효율 광촉매 연구 / 집적형 광자결정을 이용한 태양전지소자의 에너지효율향상 / 태양전지에 응용 가능한 3차원 광자결정기반의 계층구조 제조 및 특성연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1177399-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100629 출원 번호 : 1020100062247 공고 연월일 : 20120827 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120730 청구범위의 항수 : 22 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 광전극, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20180822 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 451,500 원 | 2012년 08월 22일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2015년 07월 23일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2017년 07월 03일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.06.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0420828-54 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.02.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0089013-74 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.05.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2011.06.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0054945-45 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0742514-78 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0120304-63 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.02.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0120306-54 |
| 8 | 등록결정서 | 2012.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0438963-91 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5005781-67 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5014626-89 |
| 기술번호 | KST2014034528 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서강대학교 |
| 기술명 | 광전극, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 (PHOTOELECTRODE, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME) |
| 기술개요 |
광전극, 상기 광전극의 제조 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 나노미터 내지 마이크로미터 범위의 기공이 연결된 3차원 다공성 광전극, 광간섭 리소그래피 및 콜로이드 입자의 자기조립법을 이용하여 상기 광전극을 제조하는 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 태양전지 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | 해당사항 없음 |
| 도입시고려사항 | 상용화를 위한 기술지도 가능 |
| 과제고유번호 | 1345120564 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0011024 |
| 연구과제명 | 광밴드갭에 의해 광흡수효율이 극대화된 고효율 광촉매 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 201005~201304 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345080235 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-313-D00295 |
| 연구과제명 | 태양전지에 응용 가능한 3차원 광자결정기반의 계층구조 제조 및 특성연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서강대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200811~201010 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345120564 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0011024 |
| 연구과제명 | 광밴드갭에 의해 광흡수효율이 극대화된 고효율 광촉매 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 201005~201304 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415091602 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-E-AP-HM-P-23-0000 |
| 연구과제명 | 광자결정 집적형 고효율 태양전지 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 서강대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200808~201107 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020100091757] | 구형의 다공성 구조체 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020100077538] | 3차원 다공성 구조체 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100062510] | 염료감응 태양전지용 광전극, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 염료감응 태양전지 (PHOTOELECTRODE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME) | 새창보기 |
| [1020100062247] | 광전극, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 (PHOTOELECTRODE, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME) | 새창보기 |
| [1020100056150] | 화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지 | 새창보기 |
| [1020100005905] | 광전극의 제조 방법 및 이에 의한 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지 (PREPARING METHOD OF PHOTOELECTRODE AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING PHOTOELECTRODE PREPARED BY THE SAME) | 새창보기 |
| [1020100005613] | 광간섭 리소그래피에 의한 멀티스케일 격자 패턴 형성 방법 (METHOD OF FORMING MULTI-SCALE LATTICE PATTERN BY USING HOLOGRAPHIC LITHOGRAPHY) | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2014052475][서강대학교] | 다공성 탄소 상대전극을 이용한 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015218520][서강대학교] | 나노호스트 내부에 광전류 유발소자를 내포시킨나노호스트-광전류 유발소자 복합체를 포함하는 태양전지 | 새창보기 |
| [KST2014052477][서강대학교] | 다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기의 제조 방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지 | 새창보기 |
| [KST2014052478][서강대학교] | 콜로이드 결정을 함유하는 산란층을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014046516][서강대학교] | 화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지 | 새창보기 |
| [KST2015188009][서강대학교] | 다공성 탄소 입자 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014034537][서강대학교] | 양자점으로 도핑된 고분자 전해질 및 이를 이용한 염료감응형 태양전지(POLYMER ELECTROLYTE DOPED WITH QUANTUM DOT AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL USING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2015188007][서강대학교] | 겔형 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 상기의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014034529][서강대학교] | 광전극의 제조 방법 및 이에 의한 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지 (PREPARING METHOD OF PHOTOELECTRODE AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING PHOTOELECTRODE PREPARED BY THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2014030134][서강대학교] | 광간섭 리소그래피를 이용한 광전극의 제조 방법 및 이에 의한 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지 | 새창보기 |
| [KST2014059420][서강대학교] | 플러렌-페릴렌 유도체, 그 제조방법 및 플러렌-페릴렌 유도체를 포함하는 태양전지 | 새창보기 |
| [KST2014034538][서강대학교] | 염료감응 태양전지용 광전극, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 염료감응 태양전지 (PHOTOELECTRODE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2014058416][서강대학교] | 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|