맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

바나도실리케이트 분자체의 신규 제조 방법 및 신규 바나도실리케이트 분자체 (NOVEL METHOD OF PREPARING VANADOSILICATE MOLECULAR SIEVES AND NOVEL VANADOSILICATE MOLECULAR SIEVES)

  • 기술번호 : KST2014034531
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신규 바나도실리케이트 분자체 및 그의 유도체와 그의 제조 방법이 제공되며, 상기 신규 제조 방법은 실리콘 소스와 함께 사용되는 바나듐 소스로서 V5+-함유 화합물을 이용하며, 이러한 V5+-함유 화합물을 환원제에 의하여 V4+로 환원시키는 것을 포함함으로써 신속하고 저비용으로 효율적으로 바나도실리케이트 분자체를 제조할 수 있으며, ETS-10 결정을 씨드로 사용할 필요가 없고, TMA+ 이온을 채널 안에 함유하지 않으며, 질 좋은 VIVO32- 양자선을 얻을 수 있으며, 상기 신규 제조 방법에 의하여 바나도실리케이트 분자체를 수득할 수 있다.
Int. CL C01B 39/46 (2006.01) C01B 33/20 (2006.01) B01J 29/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100031999 (2010.04.07)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1214896-0000 (2012.12.17)
공개번호/일자 10-2011-0112717 (2011.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20121224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.07)
심사청구항수 38

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤경병 대한민국 서울특별시 종로구
2 다타 슈보 지트 방글라데시 서울특별시 마포구
3 송미경 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 지오엔 서울특별시 용산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0222398-23
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0223637-19
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0006260-66
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0044518-84
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0528739-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0885416-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0885415-74
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0231825-55
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0490510-95
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0490511-30
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0646542-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 소스(silicon source), 염기(base), 바나듐 소스로서 V5+-함유 화합물, 환원제, 염(salt) 및 물을 함유하는 반응 혼합물을 수열반응시켜 바나도실리케이트 분자체를 형성하는 것을 포함하는, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 바나듐 소스로서 V5+-함유 화합물에 함유된 V5+은 상기 환원제에 의하여 V4+로 환원되는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 환원제는 유기 환원제, 무기환원제, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 유기 환원제는 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 아민기, 설파이트기, 바이설파이트기, 카보네이트기, 바이카보네이트기, 아인산기, 차아인산기, 티올기, 시안기, 티오시안기, 설파이드기, 바이설파이드기, 암모늄기, 히드라지닐, 보로히드라이드기, 아미드기, 실란기, 아미노기, 카르바모일기, 우레아기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 작용기를 가지는 유기 환원제를 1종 이상 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 유기 환원제는, 탄소수 1 내지 20을 가지는 카르복실산 또는 그의 유도체; 탄소수 1 내지 20을 가지는 디카르복실산 또는 그의 유도체; 탄소수 1 내지 20을 가지는 폴리카르복실산 또는 그의 유도체; 탄소수 1 내지 20을 가지는 아미노산 또는 그의 유도체; 탄소수 1 내지 20을 가지는 1가 또는 다가 알코올; 탄소수 1 내지 20을 가지는 알데히드계 화합물 또는 그의 유도체; 탄소수 1 내지 20을 가지는 카르바모일산 또는 그의 유도체; 보론산; 보란계 화합물; 히드라진계 화합물; 실란계 화합물; 히드록시락톤계 화합물; 히드로퀴논계 화합물; 유기산의 암모늄염; 카보네이트계 화합물; 아미드계 화합물; 아민계 화합물; 히드록시아민계 화합물; 암모니아 또는 암모니아 전구 물질; 우레아 또는 우레아 전구 물질; 우레아 가수분해 생성물; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 유기 환원제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2 각각에 있어서, R 및 R' 은 독립적으로, 수소; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기; 아민기; 하기 그룹 A로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 아르알킬기; 카르복실기; 히드록실기; 알데히드기; 설파이트기; 바이설파이트기; 카보네이트기; 바이카보네이트기; 아인산기; 차아인산기; 티올기; 시안기; 티오시안기; 암모늄기; 히드라지닐기; 보로히드라이드기; 아미드기; 실란기; 아미노기; 카르바모일기; 또는 우레아기임: [그룹 A]탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기; 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기; 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기; 할로겐; 카르복실기; 히드록실기; 알데히드기; 아민기; 설파이트기; 바이설파이트기; 카보네이트기; 바이카보네이트기; 아인산기; 차아인산기; 티올기; 시안기; 티오시안기; 암모늄기; 히드라지닐기; 보로히드라이드기; 아미드기; 실란기; 아미노기; 카르바모일기; 및 우레아기로 이루어진 치환기 군
7 7
제 3 항에 있어서,상기 유기 환원제는 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법:[화학식 3]상기 식 중, R"은, 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기; 아민기; 하기 그룹 B로부터 선택되는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있는, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 아르알킬기; 카르복실기; 히드록실기; 알데히드기; 설파이트기; 바이설파이트기; 카보네이트기; 바이카보네이트기; 아인산기; 차아인산기; 티올기; 시안기; 티오시안기; 암모늄기; 히드라지닐기; 보로히드라이드기; 아미드기; 실란기; 아미노기; 카르바모일기; 또는 우레아기임: [그룹 B]탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알케닐기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알케닐기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알키닐기; 탄소수 2 내지 20의 선형 또는 분지형 알키닐기; 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알콕시기; 할로겐; 카르복실기; 히드록실기; 알데히드기; 아민기; 설파이트기; 바이설파이트기; 카보네이트기; 바이카보네이트기; 아인산기; 차아인산기; 티올기; 시안기; 티오시안기; 암모늄기; 히드라지닐기; 보로히드라이드기; 아미드기; 실란기; 아미노기; 카르바모일기; 및 우레아기로 이루어진 치환기 군
8 8
제 3 항에 있어서,상기 무기 환원제는 무기산; 금속의 할로겐염; 금속의 티오설페이트염; 금속의 설파이트염; 금속의 바이설파이트염; 아철산염; 금속의 아황산염; 수소화금속; 금속 보로하이드라이드; 금속의 암모늄염; 금속의 과황산염; 금속의 과요오드산염; 차아인산; 차아인산암모늄; 금속의 차아인산염; 금속의 에틸렌디아민테트라아세틱에시드염; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 반응 혼합물이 산(acid)을 추가 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 산은 무기산, 유기산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 반응 혼합물을 수열반응시키기 전에 숙성(aging)시키는 것을 추가 포함하는, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서,하기를 포함하는, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법:상기 실리콘 소스, 상기 염기 및 물을 함유하는 제 1 용액을 준비하는 단계:상기 바나듐 소스로서 V5+-함유 화합물, 상기 환원제, 및 물을 함유하는 제 2 용액을 준비하는 단계:상기 제 1 용액, 상기 제 2 용액 및 상기 염을 혼합하여 상기 반응 혼합물을 준비하는 단계: 및상기 반응 혼합물을 수열반응시켜 바나도실리케이트 분자체를 형성하는 단계
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 반응 혼합물은, 상기 실리콘 소스에서 유래되는 SiO2 : 상기 V5+-함유 화합물에서 유래되는 V2O5 : 상기 환원제 : 상기 염기 : 상기 염 : 물(H2O) 의 몰 비율이, 4 내지 10 : 0
14 14
제 9 항에 있어서, 상기 반응 혼합물은, 상기 실리콘 소스에서 유래되는 SiO2 : 상기 V5+-함유 화합물에서 유래되는 V2O5 : 상기 환원제 : 상기 산: 상기 염기 : 상기 염 : 물(H2O) 의 몰 비율이, 4 내지 10 : 0
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 형성되는 바나도실리케이트 분자체는 V5+ 이온을 함유하지 않는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
16 16
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 소스는 실리케이트 염(silicate salt), 실리콘 산화물, 또는 하기 화학식 4로 표시되는 규소 화합물을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법:[화학식 4]상기 화학식 4에 있어서, R1 내지 R4는 서로 독립적으로 각각 수소; 히드록실기; 카르복실기; 할로겐족 원소; C1 내지 C22의 알킬기; C1 내지 C22의 알콕시기; 아릴 라디칼이 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼에 부착된 아르알킬기; 또는 아릴기를 나타내고, R1 내지 R4는 각각 하나 이상의 산소; 질소; 황; 또는 금속원자를 포함할 수 있음
17 17
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 소스는 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속의 실리케이트염, 콜로이드 실리카, 실리카 하이드로겔, 규산(silicic acid), 발연 실리카(fumed silica), 테트라알킬오르소실리케이트, 실리콘 수산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
18 18
제 1 항에 있어서, 상기 V5+-함유 화합물은 V2O5, VOCl3, VOBr3, VOF3, VOI3, VOSO4, NaVO3, Na3VO4, NH4VO3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
19 19
제 1 항에 있어서, 상기 염기는 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속을 함유하는 화합물을 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
20 20
제 1 항에 있어서, 상기 염은 알칼리 금속의 염 또는 알칼리토 금속의 염을 함유하는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
21 21
제 1 항에 있어서, 상기 수열반응은 100℃ 이상에서 수행되는 것인, 바나도실리케이트 분자체의 제조 방법
22 22
제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되며 SiO4 정사면체(tetrahedron)와 VO6 정팔면체(octahedron)가 연결된 골격을 포함하며 V5+ 이온을 함유하지 않는, 바나도실리케이트 분자체
23 23
제 22 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:
24 24
제 22 항에 따른 바나도실리케이트 분자체 내 V4+ 이온을 V5+ 이온으로 산화시켜 수득되는, 바나도실리케이트 분자체
25 25
제 24 항에 있어서,상기 V4+ 이온은 유기 산화제, 무기 산화제 또는 이들의 조합을 포함하는 산화제에 의하여 V5+ 이온으로 산화되는 것인, 바나도실리케이트 분자체
26 26
제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되고, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지며, SiO4 정사면체와 VO6 정팔면체가 연결된 골격을 포함하며, 5°내지 10°인 범위의 회절각(2θ)에서 한 개 이상의 피크를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴을 가지는, 바나도실리케이트 분자체: [일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A 는 알칼리 금속, 알칼리토 금속, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가 또는 +2가 금속 양이온을 나타내며, r은 0
27 27
제 26 항에 있어서, 5
28 28
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
29 29
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
30 30
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
31 31
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
32 32
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
33 33
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
34 34
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
35 35
제 26 항에 있어서, 하기 회절각(2θ)에서 피크를 포함하는 분말 X-선 회절패턴을 가지며, 하기 일반식 1로 표시되는 조성을 가지는, 바나도실리케이트 분자체:[일반식 1]Ar[(VO)s(SinO2n+2)]·tH2O;상기 식 중, A, r, s, n, 및 t는 제 26 항에 기재된 바와 같음;
36 36
제 26 항에 있어서, 등축정계(Cubic), 트렁케이티드 육방정계(Truncated Cubic) 또는 브릭(Brick) 형태의 결정 모양을 가지는, 바나도실리케이트 분자체
37 37
제 26 항에 따른 바나도실리케이트 분자체 내 V4+ 이온을 산화제를 이용하여 V5+ 이온으로 산화시켜 수득되는, 바나도실리케이트 분자체
38 38
제 37 항에 있어서,상기 산화제는 유기 산화제 또는 무기 산화제를 포함하는 것인, 바나도실리케이트 분자체
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102858688 CN 중국 FAMILY
2 EP02556023 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05621035 JP 일본 FAMILY
4 JP25523589 JP 일본 FAMILY
5 US09416018 US 미국 FAMILY
6 US20130048907 US 미국 FAMILY
7 WO2011126245 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2011126245 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102858688 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102858688 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2556023 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2556023 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2013523589 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5621035 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 TW201136835 TW 대만 DOCDBFAMILY
8 TWI457284 TW 대만 DOCDBFAMILY
9 US2013048907 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2011126245 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
11 WO2011126245 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 기후변화대응기술개발사업-기초원천기술개발사업 인공광합성 구현과 실용화를 위한 기초과학 확보 및 원천기술 개발
2 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 도약연구지원사업 마이크로 결정의 조직화 및 응용