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양자점으로 도핑된 고분자 전해질 및 이를 이용한 염료감응형 태양전지(POLYMER ELECTROLYTE DOPED WITH QUANTUM DOT AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2014034537
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질, 및 이를 이용한 염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질을 개발하고, 이러한 고분자 전해질을 염료감응형 태양전지에 도입함으로써, 종래의 염료감응형 태양전지에 있어서 액체 전해질의 문제점을 개선하고, 우수한 효율을 나타내는 염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법을 제공한다.고분자 전해질, 양자점, 도핑, 코어/쉘, 염료감응형 태양전지
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2018(2013.01) H01G 9/2018(2013.01) H01G 9/2018(2013.01)
출원번호/일자 1020090100911 (2009.10.22)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1136942-0000 (2012.04.09)
공개번호/일자 10-2011-0044089 (2011.04.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.22)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희우 대한민국 서울특별시 서초구
2 김강욱 대한민국 서울특별시 성북구
3 싱 프라모드 쿠마 인도 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0648611-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0652673-80
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0079348-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0261607-75
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0261608-10
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0504657-72
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0862964-34
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0862965-80
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0156849-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전해질용 고분자 및 상기 고분자 내에 도판트로서 분산된 양자점(quantum dot)을 포함하는, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
2 2
제 1 항에 있어서,상기 양자점은 II-VI족 화합물 반도체, II-V 화합물 반도체, III-VI족 화합물 반도체, III- V족 화합물 반도체, IV-VI 화합물 반도체, I-III-VI 화합물 반도체, II-IV-VI족 화합물 반도체, II-IV-V족 화합물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 반도체를 포함하는 것인, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
3 3
제 2 항에 있어서,상기 양자점은 MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물 반도체를 포함하는 것인, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
4 4
제 1 항에 있어서,상기 양자점이 코어/쉘 구조를 갖는 것인, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
5 5
제 4 항에 있어서,상기 양자점의 코어 및 쉘은 각각 II-VI족 화합물 반도체, II-V 화합물 반도체, III-VI족 화합물 반도체, III- V족 화합물 반도체, IV-VI 화합물 반도체, I-III-VI 화합물 반도체, II-IV-VI족 화합물 반도체, II-IV-V족 화합물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 반도체를 포함하는 것인, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
6 6
제 5 항에 있어서,상기 양자점의 코어 및 쉘은 각각 II-VI족 화합물 반도체를 포함하는 것인, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전해질용 고분자는 폴리에틸렌옥사이드(poly(ethylene oxide): PEO), 폴리비닐리덴 플루오라이드 (poly(vinylidene fluoride): PVDF), 폴리에틸렌글리콜(poly(ethylene glycol): PEG), 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 포함하는 것인, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
8 8
제 1 항에 있어서,산화환원쌍(redox couple)을 추가 포함하는, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질
9 9
전도성 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 형성된 금속산화물 반도체층, 및 상기 금속산화물 반도체층에 흡착된 염료를 포함하는 광전극;전도성 제 2 기판 및 상기 제 2 기판 상에 형성된 금속층을 포함하는 상대 전극; 및상기 광전극과 상기 상대 전극과의 사이에 개재되어 있는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 양자점으로 도핑된 고분자 전해질을 포함하는, 염료감응형 태양전지
10 10
제 9 항에 있어서,상기 양자점으로 도핑된 고분자 전해질은 젤형 또는 고체형인, 염료감응형 태양전지
11 11
제 9 항에 있어서,상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 각각 ITO(indium tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), 표면에 SnO2가 코팅되어 있는 유리 기판, 또는 전도성 고분자 기판인, 염료감응형 태양전지
12 12
제 9 항에 있어서,상기 금속산화물 반도체층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지
13 13
제 9 항에 있어서,상기 양자점으로 도핑된 고분자 전해질은 요오드계 산화환원쌍을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지
14 14
하기를 포함하는, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질을 이용한 염료감응형 태양전지의 제조방법:전도성 제 1 기판 상에 금속산화물 반도체층을 형성하고, 상기 금속산화물 반도체층에 염료를 흡착시켜 광전극을 준비하고;전도성 제 2 기판 상에 금속층을 형성하여 상대 전극을 준비하고; 상기 광전극의 염료가 흡착된 금속산화물 반도체층과 상기 상대 전극의 금속층이 소정 공간을 사이에 두고 상호 대향하도록 상기 광전극 및 상기 상대 전극을 정렬하고;제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 양자점으로 도핑된 고분자 전해질을 상기 광전극과 상기 상대 전극과의 사이의 소정 공간 내에 주입함
15 15
하기를 포함하는, 양자점으로 도핑된 고분자 전해질을 이용한 염료감응형 태양전지의 제조방법:전도성 제 1 기판 상에 금속산화물 반도체층을 형성하고, 상기 금속산화물 반도체층에 염료를 흡착시켜 광전극을 준비하고;상기 광전극의 염료가 흡착된 금속산화물 반도체층 상에 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 양자점으로 도핑된 고분자 전해질의 막을 형성하고;전도성 제 2 기판 상에 금속층을 형성하여 상대 전극을 준비하고; 상기 광전극의 염료가 흡착된 금속산화물 반도체층 상에 형성된 양자점으로 도핑된 고분자 전해질 막과 상기 상대 전극의 금속층을 접촉시키고 상기 광전극과 상기 상대전극을 고정시킴
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.