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염료감응 태양전지용 광전극, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 염료감응 태양전지 (PHOTOELECTRODE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2014034538
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기조립을 통해 콜로이드 용액을 제조하고, 전도성 투명 기판 상에 콜로이드 결정층을 형성하여 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입한 후 열처리 등을 통해 다공성 전이금속 산화물층을 형성하며, 전이금속 산화물을 포함하는 전구체 수용액으로 후처리함으로써 전이금속 산화물 구조체를 형성하고 감광성 염료를 흡착시키는 단계를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법 및 이에 의하여 제조되는 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지가 제공된다. 본원에 따르면, 광전극의 기공크기와 두께 제어가 가능하고, 특히, 후처리를 통해 비표면적을 향상시키고 또한 두께를 증가시켜 전자의 이동을 용이하게 할 수 있어, 상기 광전극을 이용한 염료감응 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020100062510 (2010.06.30)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0001896 (2012.01.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120070939;
심사청구여부/일자 Y (2010.06.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 구로구
2 신주환 대한민국 서울특별시 송파구
3 조창열 대한민국 인천광역시 연수구
4 진우민 대한민국 부산광역시 해운대구
5 강지환 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0422089-66
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.23 수리 (Accepted) 9-1-2011-0054948-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0489754-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0856353-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0856352-16
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0199707-24
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.07 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0364328-14
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0364327-68
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0312471-18
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0312472-64
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0522517-09
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.08.07 수리 (Accepted) 7-8-2012-0026080-40
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명 기판 상에 콜로이드 결정층을 형성하는 단계;상기 콜로이드 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체-함유 용액을 주입한 후 소결하여 상기 콜로이드 결정층을 선택적으로 제거함으로써 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액으로 후처리함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층이 형성된 제 1 전이금속 산화물층에 감광성 염료를 흡착시키는 단계:를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 후처리는 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액에 침지시켜 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하고 소결하는 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물층의 두께는 상기 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액이 농도 또는 상기 후처리하는 시간에 의하여 조절될 수 있는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물층은 0 nm 초과 내지 500 nm의 두께를 가지는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 결정층을 형성하기 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 결정층은, 휘발성 용매에 콜로이드 입자가 분산되어 있는 콜로이드 용액을 상기 전도성 투명 기판 상에 도포하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 결정층은, 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠)(PBMA), 또는 이들의 조합을 함유하는 콜로이드를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
12 12
전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며,상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인,염료감응 태양전지용 광전극
13 13
제 12 항에 있어서,제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극
14 14
광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,상기 광전극은, 전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(한국연구재단) / 한국에너지기술평가원 / 교육과학기술부(재단법인 한국연구재단) 서강대학교 / 서강대학교산학협력단 / 서강대학교산학협력단 일반연구자지원사업 / 에너지자원인력양성사업 / 기초연구과제지원사업 광밴드갭에 의해 광흡수율이 극대화된 고효율 광촉매 연구 / 집적형 광자결정을 이용한 태양전지소자의 에너지효율향상 / 태양전지에 응용 가능한 3차원 광자결정기반의 계층구조 제조 및 특성연구