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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1](R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8이 서로 독립적으로 6원 고리형 치환기이고, R9 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C50 알킬기임)
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제1항에 있어서,상기 알킬기의 치환기는 비치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C40 알킬기인 화합물
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제2항에 있어서,상기 R1 내지 R14는 서로 독립적으로 수소, C1-C40 알킬기, 및 페닐기 중 선택되는 어느 하나이고,상기 화학식 1은 하기 화학식 12 또는 하기 화학식 15로 표시되는 화합물:[화학식 12][화학식 15]
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하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 준비하는 단계,하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 준비하는 단계,유기 용매에서 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 유기 금속 화합물을 반응시켜 제1 혼합물을 제조하는 단계,상기 제1 혼합물에 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 첨가한 후, 반응시켜 제2 혼합물을 제조하는 단계, 및상기 제2 혼합물을 산성 촉매 하에 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화합물의 제조 방법으로,[화학식 1](R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8이 서로 독립적으로 6원 고리형 치환기이고, R9 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C50 알킬기임)[화학식 2](X는 F, Br, Cl 또는 F임)[화학식 3](R1과 R2, R3와 R4가 서로 독립적으로 6원 고리형 치환기이고, R11 및 R12는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C50 알킬기임), 및상기 화학식 1은 하기 화학식 12 또는 하기 화학식 15로 표시되는 화합물의제조 방법:[화학식 12][화학식 15]
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제4항에 있어서,상기 제1 혼합물을 제조하는 단계는 -50 ℃ 이하에서 10 분 내지 1 시간 반응하는 화합물의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 제2 혼합물을 제조하는 단계는 상온까지 가열한 후 12 시간 내지 36 시간 반응하는 화합물의 제조 방법
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7
제4항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 스틸벤을 할로겐화 반응시켜 제조되는 화합물의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 수화 반응(hydration) 및 산화 반응(oxidation)에 의해 생성된 케톤기를 포함하는 화합물의 제조 방법
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하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 준비하는 단계,염기 촉매 하에 상기 화학식 5로 표시되는 화합물과 벤즈알데하이드를 반응시킨 후, 할로겐화 반응을 진행함으로써 제3 혼합물을 제조하는 단계,유기 용매 하에 상기 제3 혼합물과 유기 금속 화합물을 반응시켜 제4 혼합물을 제조하는 단계, 및상기 제4 혼합물을 산성 촉매 하에 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화합물의 제조 방법으로,[화학식 5][화학식 1](R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8이 서로 독립적으로 6원 고리형 치환기이고, R9 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C50 알킬기임),상기 화학식 1은 하기 화학식 12 또는 하기 화학식 15로 표시되는 화합물의제조 방법:[화학식 12][화학식 15]
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기판 위에 위치하는 애노드(anode),상기 애노드 위에 위치하는 정공 수송층,상기 정공 수송층 위에 위치하며, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층,상기 발광층 위에 위치하는 전자 수송층, 그리고상기 전자 수송층 위에 위치하는 캐소드(cathode)를 포함하는 유기 발광 소자로,[화학식 1](R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8이 서로 독립적으로 6원 고리형 치환기이고, R9 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C50 알킬기임),상기 화학식 1은 하기 화학식 12 또는 하기 화학식 15로 표시되는 화합물인 유기 발광소자:[화학식 12][화학식 15]
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제10항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층의 호스트 또는 도판트인 유기 발광 소자
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제10항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 수송층 또는 상기 전자 수송층에 포함되어 있는 유기 발광 소자
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13
제10항에 있어서,상기 애노드와 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자
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14
제13항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 주입층에 포함되어 있는 유기 발광 소자
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제10항에 있어서,상기 전자 수송층과 상기 캐소드 사이에 위치하는 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자
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제15항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 전자 주입층에 포함되어 있는 유기 발광 소자
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제15항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 위치하는 정공 저지층을 더 포함하는 유기 발광 소자
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제17항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 저지층에 포함되어 있는 유기 발광 소자
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서로 교차하는 제1 신호선 및 제2 신호선,상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터,상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 상기 제1 신호선, 제2 신호선, 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 덮고 있는 유기막,상기 유기막 위에 위치하며 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극,상기 유기막 위에 위치하며 상기 화소 전극을 둘러싸는 화소 정의층,상기 화소 전극 위에 위치하고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광 부재, 그리고상기 발광 부재 위에 위치하는 공통 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치로,[화학식 1](R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8이 서로 독립적으로 6원 고리형 치환기이고, R9 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C50 알킬기임),상기 화학식 1은 하기 화학식 12 또는 하기 화학식 15로 표시되는 화합물인 유기 발광 표시 장치:[화학식 12][화학식 15]
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제19항에 있어서,상기 발광 부재는 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제20항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층의 호스트 또는 도판트인 유기 발광 표시 장치
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