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프로브 유닛 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014034700
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 프로브 유닛 제조 방법은 (a) 제 1 기판의 일면에 연결 범프(bump)를 돌출 형성하는 단계, (b) 제 2 기판의 일면에 하나 이상의 금속 패턴 및 상기 금속 패턴과 인접하는 연결 관통구를 각 금속 패턴별로 형성하는 단계, (c) 연결 관통구의 일측에 연결 범프를 삽입하고, 연결 관통구의 타측에 탐침부를 삽입하여 제 1 기판 및 탐침부를 제 2 기판에 접합시키는 단계 및 (d) 제 2 기판에 형성된 금속 패턴에 PCB(Printed Circuit Board )부를 부착하는 단계를 포함한다.
Int. CL G01R 1/073 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01R 3/00(2013.01) G01R 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020100055384 (2010.06.11)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1127117-0000 (2012.03.08)
공개번호/일자 10-2011-0135574 (2011.12.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.11)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재문 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 서수정 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0376338-16
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088982-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053118-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0425647-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0762940-26
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0762908-75
8 등록결정서
Decision to grant
2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0123372-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
프로브 유닛 제조 방법에 있어서,(a) 제 1 기판의 일면에 연결 범프(bump)를 돌출 형성하는 단계,(b) 제 2 기판의 일면에 하나 이상의 금속 패턴 및 상기 금속 패턴과 인접하는 연결 관통구를 각 금속 패턴별로 형성하는 단계,(c) 상기 연결 관통구의 일측에 상기 연결 범프를 삽입하고, 상기 연결 관통구의 타측에 탐침부를 삽입하여 상기 제 1 기판 및 상기 탐침부를 상기 제 2 기판에 접합시키는 단계 및(d) 상기 제 2 기판에 형성된 상기 금속 패턴에 PCB(Printed Circuit Board )부를 부착하는 단계를 포함하고, 상기 연결 관통구의 일측은 상기 금속 패턴과 인접한 것인프로브 유닛 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 제 1 기판의 일면에 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계,상기 제 1 기판의 일부면이 노출되도록 상기 제 1 포토레지스트층을 설정된 간격으로 패터닝하는 단계,상기 노출된 제 1 기판의 일면에 시드층을 형성하는 단계,상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하여 상기 시드층을 제외한 상기 제 1 기판의 일면을 노출시키는 단계,상기 노출된 제 1 기판의 일면 및 상기 시드층의 상부면에 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계,상기 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 시드층의 상부면을 노출시키는 단계,상기 시드층의 상부면에 도전성 물질을 채워 상기 연결 범프를 형성하는 단계 및상기 패터닝된 제 2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는프로브 유닛 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 제 2 기판의 일면에 제 3 포토레지스트층을 형성하는 단계,상기 제 2 기판의 일부면이 노출되도록 상기 제 3 포토레지스트층을 설정된 간격으로 패터닝하는 단계,상기 제 3 포토레지스트층을 마스크로 하여, 상기 노출된 제 2 기판에 상기 연결 관통구를 형성하는 단계,상기 패터닝된 제 3 포토레지스트층을 제거하는 단계,상기 연결 관통구를 제외한 상기 노출된 제 2 기판의 일면에 제 4 포토레지스트층을 설정된 간격으로 패터닝하는 단계,상기 제 4 포토레지스트층을 마스크로 하여 상기 연결 관통구의 일측면을 따라 상기 금속 패턴을 형성하는 단계 및상기 패터닝된 제 4 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 프로브 유닛 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 제 2 기판의 일면에 제 3 포토레지스트층을 형성하는 단계,상기 제 2 기판의 일부면이 노출되도록 상기 제 3 포토레지스트층을 설정된 간격으로 패터닝하는 단계,상기 제 3 포토레지스트층을 마스크로 하여 상기 노출된 제 2 기판에 상기 금속 패턴을 형성하는 단계,상기 제 2 기판의 일면에 상기 연결 관통구를 형성하는 단계 및상기 패터닝된 제 3 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 프로브 유닛 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 연결 범프는,상기 연결 관통구에 대응되도록 형성된 것인 프로브 유닛 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 금속 패턴에 접착제를 도포하여 상기 제 1 기판을 접합시키는 단계를 포함하는 프로브 유닛 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 연결 관통구의 타측에 접착제를 도포하여 상기 탐침부의 얼라인부를 접합시키는 단계를 포함하는 프로브 유닛 제조 방법
8 8
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 연결 관통구를 형성하는 단계는,DRIE(Deep silicon Reactive Ion Etching) 공정으로 이루어지는 것인 프로브 유닛 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판은 유리 기판이고,상기 제 2 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 유닛 제조 방법
10 10
프로브 유닛에 있어서,상부면에 연결 범프(bump)가 돌출 형성된 제 1 기판,연결 관통구를 포함하고, 상기 연결 관통구의 일측면을 따라 하나 이상의 금속 패턴이 형성된 제 2 기판,상기 금속 패턴에 본딩된 PCB(Printed Circuit Board)부 및피검사체에 형성된 검사용 접촉 패드에 접촉하는 탐침부를 포함하되,상기 연결 관통구의 일측에 상기 제 1 기판의 연결 범프가 삽입되고,상기 연결 관통구의 타측에 상기 탐침부가 삽입되어 상기 제 1 기판과 상기 탐침부가 상기 제 2 기판에 일체로 접합되고, 상기 연결 관통구의 일측은 상기 금속 패턴과 인접한 것인프로브 유닛
11 11
제 10 항에 있어서,상기 탐침부는,본체부와 상기 본체부의 일단부로부터 돌출 형성되어 상기 피검사체에 형성된 검사용 접촉 패드에 접촉하는 탐침과 상기 본체부의 타단부로부터 절곡 연장되어 상기 연결 관통구의 타측에 삽입되는 얼라인부를 포함하는 것인 프로브 유닛
12 12
제 10 항에 있어서,상기 연결 범프는 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 일정 간격으로 일괄 형성되되, 상기 연결 관통구에 대응되도록 형성된 것인 프로브 유닛
13 13
제 10 항에 있어서,상기 연결 범프는 도금 공정으로 형성된 것인 프로브 유닛
14 14
제 10 항에 있어서,상기 제 1 기판은 유리 기판이고,상기 제 2 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 유닛
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.