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상변화 메모리 소자 제조방법에 있어서,
준비된 기판에 하부전극을 형성시키는 단계;
상기 하부전극의 상부면으로 소정크기의 히터를 형성시키는 단계;
상기 하부전극의 상부면으로 소정영역으로 절연층을 형성시키는 단계;
상기 히터와 접하도록 상변화층을 형성시키는 단계; 및
상기 상변화층과 접하도록 상부전극을 형성시키는 단계;를 포함하여 구성되고, 상기 각각의 단계는 잉크젯 프린팅을 통해 형성시키며,
상기 하부전극은 UV-오존이나 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면에너지를 조절하고 형성시키는 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린팅을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 상변화층은,
Ge-Te, Sb2Te3, GeSeTe2, AgSbSe2, Sb-Se, Ag-In-Sb-Te 및 Sb-Te계 칼코겐 화합물(chalcogenide)이거나 또는 GeSb 화합물 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 프린팅 기법을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은,
상기 히터 주변을 감싸도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 프린팅 기법을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은,
플라스틱 기판을 포함하는 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린팅을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 상변화층은,
박막 형태로 형성시키거나, 나노입자 또는 나노와이어를 포함하는 초미세입자가 정렬되거나 적층되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린팅을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 히터는,
상기 상변화층의 높이보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린팅을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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7
제 1항에 있어서, 상기 절연층은,
잉크젯 프린팅 또는 스크린 인쇄를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린팅을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 히터는,
Pt, Au, Nickel, Copper 중 어느 하나로 형성되며, 높이는 10㎛ 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린팅을 이용한 상변화 메모리 제조방법
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