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a) 뱅크 구조형 태양전지 기판 위에 노출되는 형태의 소수성막 기판을 형성하기 위하여 스핀 코팅기에 플렉시블 기판을 장착한 후, 상기 플렉시블 기판 위에 소수성 물질을 투입하고 상기 스핀 코팅기를 소정의 회전속도로 일정 시간 동안 작동시켜 상기 기판 위에 소수성(hydrophobic) 물질을 코팅하는 단계;
b) 상기 소수성 물질이 코팅된 소수성막 기판에 원하는 형상(pattern)의 새도우 마스크(shadow mask)를 설치하는 단계;
c) 상기 새도우 마스크가 설치된 소수성막 기판을 자외선 투과장치에 장착하고, 일정 시간 동안 자외선을 투과시켜 상기 새도우 마스크의 형상(pattern)에 따라 자외선이 선택적으로 조사(照射)된 부분의 소수성막 기판을 친수성 (hydrophilic)막 기판으로 변경하는 단계;
d) 상기 친수성막으로 변경된 기판에 소정 압력 및 온도의 조건에서 ALD(Atomic Layer Deposition)를 이용하여 AZO(Al-doped Zinc Oxide) 투명전도막을 형성하는 단계;
e) 상기 AZO 투명전도막 위에 광전변환 효율을 높이기 위해 광전변환 촉진물질을 상온에서 직접 인쇄(Direct Writing)하는 단계;
f) 상기 광전변환 촉진물질층 위에 광전 변환물질을 상온에서 직접 인쇄하는 단계; 및
g) 상기 광전변환 물질층 위에 알루미늄(Al) 전극을 상온에서 직접 인쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 a)에서 상기 소수성 물질로서 OTS(OctadecylTrichloroSilane)가 사용되는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 a)에서 상기 스핀 코팅기를 200rpm의 회전 속도로, 10분 이상 작동시키는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 c)에서 자외선을 10분 이상 투과시키는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 d)에서 50 Torr, 120℃ 이하의 조건에서 AZO 투명전도막을 형성하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 e)에서 상기 광전변환 촉진물질로서 PEDOT(Poly(3, 4-ethylene dioxythiophene))나 PEDOT:PSS(Poly(3, 4-ethylenedioxythiophene) Poly(styrene sulfonate))가 사용되는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 f)에서 광전변환 물질로서 P3HT(3-hexylthiophene)와 PCBM([6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester)의 혼합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 d)에서 90% 이상의 평균 가시광선(550nm) 투과도 및 100Ω/㎠ 이하의 저항값을 갖는 AZO 투명전도막을 형성하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정의 선택적 증착 특성을 이용한 뱅크 구조형 태양전지 제조방법
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