1 |
1
기판상에 탄소나노튜브층을 합성하는 합성 장치;
상기 기판상에 합성된 탄소나노튜브층을 섬유화(yarning)하는 탄소나노튜브 섬유화 장치; 및
상기 기판을 상기 합성 장치에서 상기 탄소나노튜브 섬유화 장치로 이송하거나 상기 탄소나노튜브 섬유화 장치에서 상기 합성 장치로 이송하는 기판 이송 장치;를 포함하며,
상기 탄소나노튜브 섬유화 장치는
상기 탄소나노튜브층이 합성된 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 탄소나노튜브층에 접촉하는 니들;
상기 니들에 연결되며, 상기 니들을 회전시키는 니들 회전 모터;
상기 니들 회전 모터를 지지하는 회전 모터 테이블; 및
상기 회전 모터 테이블을 지지하며, 상기 회전 모터 테이블을 상기 기판 지지대로부터 멀어지게 하거나 인접시키는 리니어 엑추에이터;를 포함하며,
상기 탄소나노튜브 섬유화 장치는 상기 니들을 상기 탄소나노튜브층에 접촉시킨 후, 상기 니들을 회전시키는 동시에 상기 탄소나노튜브층으로부터 멀어지도록 하여 상기 탄소나노튜브층으로부터 탄소나노튜브 섬유를 형성하고,
상기 니들은 상기 탄소나노튜브층과 접촉하는 끝단에 상기 탄소나노튜브층과의 접합력을 높이기 위한 코팅막을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 합성 장치와 탄소나노튜브 섬유화 장치 사이를 순환하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 합성 장치는
챔버(chamber);
상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 일정 온도로 가열하는 가열 부재를 구비한 서셉터(susceptor);
상기 서셉터에 대향되는 플라즈마 헤드(plasma head); 및
상기 챔버에 구비되며, 상기 기판을 장입 또는 인출하기 위한 챔버 도어(chamber door);를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
4 |
4
제 3 항에 있어서,
상기 합성 장치는
상기 플라즈마 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 장치; 및
상기 플라즈마 헤드에 전원을 공급하는 전원 공급 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
5 |
5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 섬유화 시스템은 상기 합성 장치에서 탄소나노튜브층이 합성된 기판을 냉각시키는 기판 냉각 장치를 포함하는 냉각 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
6 |
6
제 5 항에 있어서,
상기 기판 냉각 장치는 그 내부에 냉각 라인을 구비한 지지대인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
7 |
7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 섬유화 시스템은 상기 기판상에 잔류하는 탄소나노튜브 또는 잔류하는 비정질 탄소를 세정하는 세정 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
8 |
8
삭제
|
9 |
9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 섬유화 장치는 상기 탄소나노튜브 섬유를 감아두는 보빈을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
10 |
10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 섬유화 장치는 상기 니들과 니들 회전 모터 사이에 구비되며,
상기 니들에 체결된 스핀들; 및
상기 스핀들과 니들 회전 모터에 체결된 커플링;을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
11 |
11
기판상에 탄소나노튜브층을 합성하는 합성 장치;
상기 기판상에 합성된 탄소나노튜브층을 섬유화(yarning)하는 탄소나노튜브 섬유화 장치; 및
상기 기판을 상기 합성 장치에서 상기 탄소나노튜브 섬유화 장치로 이송하거나 상기 탄소나노튜브 섬유화 장치에서 상기 합성 장치로 이송하는 기판 이송 장치;를 포함하며,
상기 탄소나노튜브 섬유화 장치는
상기 탄소나노튜브층이 합성된 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 탄소나노튜브층에 접촉하는 니들;
상기 니들에 연결되며, 상기 니들을 회전시키는 니들 회전 모터;
상기 니들 회전 모터를 지지하는 회전 모터 테이블; 및
상기 회전 모터 테이블을 지지하며, 상기 회전 모터 테이블을 상기 기판 지지대로부터 멀어지게 하거나 인접시키는 리니어 엑추에이터;를 포함하며,
상기 탄소나노튜브 섬유화 장치는 상기 니들을 상기 탄소나노튜브층에 접촉시킨 후, 상기 니들을 회전시키는 동시에 상기 탄소나노튜브층으로부터 멀어지도록 하여 상기 탄소나노튜브층으로부터 탄소나노튜브 섬유를 형성하고,
상기 니들은 정전기 또는 자성을 가질 수 있는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
12 |
12
제 11 항에 있어서,
상기 기판은 상기 합성 장치와 탄소나노튜브 섬유화 장치 사이를 순환하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
13 |
13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 코팅막은 SiN 박막인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
14 |
14
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 합성 장치는 AP-PECVD(Atmospher Pressure - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
15 |
15
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브층이 합성되는 기판은 상기 탄소나노튜브층이 성장하기 위한 시드층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|
16 |
16
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이송 장치는 로봇 암인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 섬유화 시스템
|