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아미노알콕시 나프탈렌의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014034821
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 복합체 제조시 경화제로서 사용되어 고분자 복합체의 열팽창특성(즉, 낮은 CTE(Coefficient of Thermal Expansion)) 및 이에 따른 내열특성을 개선하는 새로운 아미노알콕시 나프탈렌 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 견지에 의하면, 하기 화학식 1 내지 4중 하나로 나타내어지는 아미노알콕시 나프탈렌이 제공된다. (1) (2) (3) (4) (상기 화학식 1 내지 4에서, 상기 R1은 C1 내지 C10의 알칸디일 그룹이며, R2는 단일결합 혹은 C1 내지 C5의 알칸디일 그룹이다.) 상기 아미노알콕시 나프탈렌은 아민 화합물의 아민기를 보호한 다음에 보호된 아민 화합물과 나프탈렌계 화합물을 반응시키고 그 후, 아민 보호기를 탈보호하므로써 제조된다. 본 발명에 의한 새로운 아미노알콕시 나프탈렌은 에폭시 수지 복합체에 경화제로 사용되어 에폭시 수지 복합체의 열팽창특성을 개선시키는 역할을 한다. 아미노알콕시 나프탈렌, 에폭시 수지 복합체, 열팽창특성 개선, 저CTE.
Int. CL C07C 213/02 (2006.01) C07C 217/56 (2006.01)
CPC C07C 217/56(2013.01) C07C 217/56(2013.01) C07C 217/56(2013.01)
출원번호/일자 1020090051455 (2009.06.10)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1091862-0000 (2011.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0132713 (2010.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20111212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.10)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전현애 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 장석구 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 신승한 대한민국 서울특별시 용산구
4 김현아 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0350767-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0131652-06
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0343359-47
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0343358-02
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0704311-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
아민 화합물의 아민기를 보호(protection)하는 제 1단계; 하기 화학식 5 내지 8중 하나의 나프탈렌계 화합물과 보호된 아민 화합물을 반응시키는 제 2단계; 및 [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] (단, 상기 화학식 6 내지 8에서 R2는 단일결합 혹은 C1 내지 C5의 알칸디일 그룹이다
3 3
제 2항에 있어서 상기 아민 화합물은 하기 화학식 9로 나타내어짐을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.