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나노 플로팅 게이트 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014034981
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 플로팅 게이트 메모리 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 고유전율 단일 절연막 또는 전하 저장층과 고유전율 단일 절연막에 전자빔을 조사함으로써 간단하게 메모리 특성을 구현하는데 있다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판 도입 단계와, 반도체 기판 위에 원자층 증착 반응으로 고유전율의 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계와, 고유전율의 절연막 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계로 이루어진 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 29/788 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01)
출원번호/일자 1020080051048 (2008.05.30)
출원인 홍익대학교 산학협력단, 한국원자력연구원, 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0985692-0000 (2010.09.29)
공개번호/일자 10-2009-0124694 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
3 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황진하 대한민국 서울특별시 마포구
2 이홍경 대한민국 서울특별시 마포구
3 이준영 대한민국 서울특별시 마포구
4 한영환 대한민국 대전광역시 유성구
5 이병철 대한민국 대전광역시 유성구
6 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
7 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
8 김창균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
3 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0390886-95
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0073349-80
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0481257-09
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0115175-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0317695-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0317697-75
8 등록결정서
Decision to grant
2010.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0395822-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자층 증착 반응기의 내부 온도를 100~300℃로 유지한 상태에서, 반도체 기판 위에 원자층 증착 반응으로 전하 저장층을 형성하는 전하 저장층 형성 단계; 상기 전하 저장층의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계; 상기 전하 저장층 위에 원자층 증착 반응으로 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계; 및, 상기 절연막의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계를 포함하여 이루어진 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 절연막 형성 단계에서의 절연막은 유전율이 3 보다 큰 고유전상수 물질인 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 절연막 형성 단계에서의 절연막은 알루미늄산화막(Al2O3), 하프늄산화막(HfO2), 지르코늄산화막(ZrO2), 티타튬산화막(TiO2), 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질화막(SiNx)중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 절연막 형성 단계에서의 절연막은 두께가 0
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층 형성 단계에서의 상기 전하 저장층은 니켈 산화막인 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층 형성 단계에서의 전하 저장층은 두께가 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 전자빔 조사 단계에서의 전자빔은 에너지가 0
9 9
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 6 항, 제 7 항 또는 제 8 항중 어느 하나에 기재된 방법으로 제조된 나노 플로팅 게이트 메모리
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.