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접합형 전계 효과 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035029
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제조 공정의 변화에 관계없이 컷오프 전압을 정확하고 안정되게 제어할 수 있고 이를 통해 소자의 수율을 높일 수 있는 접합형 전계 효과 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 게이트 전압에 의해 채널이 형성되는 채널 층의 상하부에 각각 SiGe로 이루어진 상부 및 하부 확산 저지층을 형성하여, 게이트 접합부의 접합 영역 확산을 저지하고, 상기 게이트 접합부가 계면에서 날카로운 농도 구배를 갖도록 함으로써, 공정 변화에 따른 전기적 특성의 편차가 작아져, 일정한 전기적 특성을 유지시키는 것이 용이하고 그 결과 전체 수율을 향상시킬 수 있는 것이다. 접합형 전계 효과 트랜지스터(JFET), 확산 저지층, SiGe, 접합, 확산 공정,
Int. CL H01L 21/336 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66893(2013.01) H01L 29/66893(2013.01)
출원번호/일자 1020080137238 (2008.12.30)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1053639-0000 (2011.07.27)
공개번호/일자 10-2010-0078859 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병관 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 양하용 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 최철종 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 심규환 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0906662-89
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0306531-58
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0507338-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0019625-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0019624-86
7 등록결정서
Decision to grant
2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0398958-00
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 하부 에피층; 상기 하부 에피층의 상부에 형성되어 접합 영역의 확산을 저지하는 하부 확산 저지층; 상기 하부 확산 저지층의 상부에 형성되는 채널층; 상기 채널층의 상부에 각각 형성되어 접합 영역의 확산을 저지하는 상부 확산 저지층; 상기 상부 확산 저지층의 상부에 형성되는 상부 에피층; 상기 상,하부 에피층, 상,하부 확산 저지층 및 채널층의 측면에 형성되는 격리부; 상기 격리부 내측에 상기 상부 에피층, 상부 확산 저지층 및 채널층을 포함하여 형성되는 채널 접합부; 상기 채널 접합부내에 형성되는 소스 접합부, 드레인 접합부 및 게이트 접합부; 상기 소스 접합부, 드레인 접합부 및 게이트 접합부에 각각 연결되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극; 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 제외한 노출된 상부 표면에 형성되는 절연막을 포함하며, 상기 상부 확산 저지층 및 하부 확산 저지층에 의해 상기 게이트 접합부의 크기가 제어되는 것을 특징으로 하는 접합형 전계 효과 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 상부 및 하부 확산 저지층은 실리콘 게르마늄(SiGe)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합형 전계 효과 트랜지스터
4 4
반도체 기판 위에 하부 에피층을 형성하는 단계; 상기 하부 에피층의 상부에 하부 확산 저지층을 형성하는 단계; 상기 하부 확산 저지층의 상부에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층의 상부에 상부 확산 저지층을 형성하는 단계; 상기 상부 확산 저지층의 상부에 상부 에피층을 형성하는 단계; 상기 상,하부 에피층, 상,하부 확산 저지층 및 채널층의 측면에 격리부를 형성하는 단계; 상기 상부 에피층에서 상부 확산 저지층 및 채널층까지 포함되도록 채널 접합부를 형성하는 단계; 상기 채널 접합부 내에 게이트 접합부, 소스 접합부 및 드레인 접합부를 형성하는 단계; 및 상기 게이트 접합부, 소스 접합부 및 드레인 접합부가 형성된 채널 접합부의 상부 표면에 절연막을 형성하고, 상기 게이트 접합부, 소스 접합부 및 드레인 접합부에 각각 연결되는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 접합형 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 상부 및 하부 확산 저지층은 실리콘 게르마늄(SiGe)로 형성되는 것을 특징으로 하는 접합형 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 게이트 접합부, 소스 접합부 및 드레인 접합부를 형성하는 단계는, 상기 소스 접합부 및 드레인 접합부를 먼저 형성한 다음에 상기 게이트 접합부를 형성하는 것을 특징으로 하는 접합형 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.