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기판 상에 마스크 박막층을 형성하는 단계;
상기 마스크 박막층에 식각 유도용 패턴과, 이에 연결된 에어갭연결용 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴 상에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층을 메사식각하여 식각 유도용 패턴을 노출시키는 단계;
상기 노출된 식각 유도용 패턴을 습식식각용액으로 습식식각하고, 상기 식각 유도용 패턴과 연결된 에어갭용 패턴을 습식식각하여 에어갭을 형성하는 단계를 포함하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 마스크 박막이 SiOx, SiNx, W 및 Pt 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 식각 유도용 패턴과 에어갭용 패턴이 주기적 배열을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 기판 상에 형성된 식각 유도용 패턴을 식각한 습식식각액이, 식각 유도용 패턴과 연결된 에어갭연결용 패턴, 에어갭이 형성될 패턴을 식각하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 습식식각용액이 수산화나트륨, 수산화칼륨, 황산, 인산 및 알루에치(4H8PO4+4CH8COOH+HNO8+H2O), 불산, 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 반도체 표면에 전극을 형성하여 전류 또는 광을 인가하여 습식식각을 유도하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 반도체층은 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하고, 선택적 MOCVD 법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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12
제5항에 있어서,
상기 반도체 층의 외면 또는 투광성 도전막에는 요철 형상의 산란면이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 반도체층과 상기 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제13항에 있어서,
상기 기판을 분리하는 단계에서 LLO방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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제13항에 있어서,
상기 기판을 분리하는 단계에서 CLO방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 구비하는 발광소자의 제조방법
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