맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

LTCC 기반 증폭기

  • 기술번호 : KST2014035071
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 TCC(Low temperature cofired ceramic) 재료 및 적층 공정을 이용하여 트랜지스터 패키지 내부에 그 내부 정합 회로와 전력 결합기가 구현되는 LTCC를 이용한 고출력 증폭기의 내부 정합 회로 및 결합기 구조가 개시되어 있다. LTCC를 이용한 고출력 증폭기의 내부 정합 회로 및 결합기 구조는 LTCC 모듈 내부에 형성되는 둘 이상의 내부 정합 회로들; 및 상기 LTCC 모듈 내부에 형성되며, 상기 둘 이상의 내부 정합 회로를 결합시키기 위한 결합기를 포함하며, 상기 둘 이상의 내부 정합 회로들 각각은, 하나 이상의 유전체 층, 하나 이상의 내부 전극 및 외부 전극을 갖는 제 1 내장 커패시터; 하나 이상의 유전체 층, 하나 이상의 내부 전극 및 외부 전극을 가지며, 상기 제 1 내장 커패시터와 소정 거리 이격된 제 2 내장 커패시터; 및 상기 제 1 내장 커패시터 및 상기 제 2 내장 커패시터 사이에 형성되며, 상기 제 1 내장 커패시터 및 상기 제 2 내장 커패시터의 최상위의 전극들과 그 양단이 전기적으로 연결되는 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H03F 1/56 (2006.01) H03F 3/60 (2006.01)
CPC H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01) H03F 1/565(2013.01)
출원번호/일자 1020100140053 (2010.12.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1127093-0000 (2012.03.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.31)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이우성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 유찬세 대한민국 경기도 의왕시
3 김동수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0879746-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0587532-42
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0978314-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0978324-76
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0134750-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
LTCC를 이용한 고출력 증폭기의 내부 정합 회로 및 결합기 구조에 있어서,LTCC 모듈 내부에 형성되는 둘 이상의 내부 정합 회로들; 및상기 LTCC 모듈 내부에 형성되며, 상기 둘 이상의 내부 정합 회로를 결합시키기 위한 결합기를 포함하며,상기 둘 이상의 내부 정합 회로들 각각은, 하나 이상의 유전체 층, 하나 이상의 내부 전극 및 외부 전극을 갖는 제 1 내장 커패시터; 하나 이상의 유전체 층, 하나 이상의 내부 전극 및 외부 전극을 가지며, 상기 제 1 내장 커패시터와 소정 거리 이격된 제 2 내장 커패시터; 및상기 제 1 내장 커패시터 및 상기 제 2 내장 커패시터 사이에 형성되며, 상기 제 1 내장 커패시터 및 상기 제 2 내장 커패시터의 최상위의 전극들과 그 양단이 전기적으로 연결되는 인덕터를 포함하고,상기 결합기 및 상기 제 1 및 제 2 내장 커패시터의 외부 전극들, 및 상기 인덕터는 상기 LTCC 모듈의 최상위 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 LTCC를 이용한 고출력 증폭기의 내부 정합 회로 및 결합기 구조
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 내장 커패시터의 상기 하나 이상의 유전체 층, 상기 하나 이상의 내부 전극 및 외부 전극은 상기 LTCC 모듈의 하부 방향으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 LTCC를 이용한 고출력 증폭기의 내부 정합 회로 및 결합기 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.