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Ⅲ-V족 화합물을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,육방정계 결정 구조의 기판을 마련하는 과정과,900 내지 1200℃, 50 내지 200mbar, 및 아르곤가스 또는 질소가스 분위기에서 10 내지 400의 V / Ⅲ비로 Ⅲ-V족 화합물을 공급하는 수평 성장 모드로 상기 기판의 주면 상에 a-면({11-20} 면)을 주면으로 하여 완충층을 성장시키는 과정과,상기 완충층의 주면 상에 수직 성장 모드로 a-면({11-20} 면)을 주면으로 하여 제1 반도체층을 성장시키는 과정과,상기 제1 반도체층의 주면 상에 수평 성장 모드로 a-면({11-20} 면)을 주면으로 하여 제2 반도체층을 성장시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층은 아르곤가스 또는 질소가스 분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층은 아르곤가스 및 질소가스 중에서 선택된 것과 수소가스 및 헬륨가스 중에서 선택된 것이 혼합된 것을 분위기 가스로 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 육방정계 결정 구조의 r-면({1-102} 면) 또는 m-면({1-100} 면)을 주면으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층을 성장시키는 Ⅲ-V족 화합물의 Ⅲ족 원소 대비 V족 원소(V / Ⅲ)의 비율은 10 내지 400임을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층을 성장시키는 Ⅲ-V족 화합물의 Ⅲ족 원소 대비 V족 원소(V / Ⅲ)의 비율은 800 내지 1500임을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 수소가스 분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 성장 온도를 900 내지 1200℃로 하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층은 50 내지 200mbar의 압력에서 성장시키며, 상기 제1 반도체층은 400 내지 700mbar의 압력에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 완충층은 5 내지 300nm의 두께로 성장시키며, 상기 제1 반도체층은 1 내지 2μm의 두께로 성장시키고, 상기 제2 반도체층은 1 내지 10μm의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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