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기판 내장용 SIW 필터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035140
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 집적형 도파관(SIW:surface integated waveguide) 필터를 포함하는 전기소자에 관한 것으로, 상기 전기소자는 기판; 상기 기판 내부층에 삽입되는 SIW 필터; 일측단이 상기 기판의 표면층에 형성되고 타측단은 상기 SIW 필터가 형성된 상기 기판의 내부층에 형성되어 있는 비아; 상기 기판의 내부층에 형성된 비아의 타측단으로부터 상기 SIW 필터까지 연결되어 상기 비아에 의해 야기되는 인덕턴스 성분의 왜곡을 보정하기 위한 보정회로를 포함하는 것을 구성적 특징으로 한다. SIW, 필터, 비아, 보정 회로, 도파관
Int. CL H01P 1/207 (2006.01)
CPC H01P 1/207(2013.01) H01P 1/207(2013.01) H01P 1/207(2013.01) H01P 1/207(2013.01)
출원번호/일자 1020090133258 (2009.12.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1094533-0000 (2011.12.08)
공개번호/일자 10-2011-0076517 (2011.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유찬세 대한민국 경기도 의왕시
2 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)
3 윤석운 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0813758-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002608-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0259838-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0548250-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0548272-71
7 등록결정서
Decision to grant
2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0726578-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 집적형 도파관(SIW:surface integated waveguide) 필터를 포함하는 전기소자에 있어서, 기판; 상기 기판 내부층에 삽입되는 SIW 필터; 일측단이 상기 기판의 표면층에 형성되고 타측단은 상기 SIW 필터가 형성된 상기 기판의 내부층에 형성되어 있는 비아; 상기 기판의 내부층에 형성된 비아의 타측단으로부터 상기 SIW 필터까지 연결되어 상기 비아에 의해 야기되는 인덕턴스 성분의 왜곡을 보정하기 위한 보정회로를 포함하고, 상기 보정 회로는 보정 회로의 양단에 각각 형성되는 하나의 시리즈(series) 선로와 상기 시리즈 선로로부터 측방향으로 돌출한 두 개의 션트 스터브 라인으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 집적형 도파관 필터를 기판의 내부층에 포함하는 전기소자
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 보정 회로는 기판 내부에서 상기 SIW 필터와 상기 비아에 결합되는 것을 특징으로 하는 표면 집적형 도파관 필터를 기판의 내부층에 포함하는 전기소자
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표면 집적형 도파관 필터를 포함하는 전기소자의 제조 방법에 있어서, 기판 내부층에 표면 집적형 도파관 필터(SIW 필터)를 형성하는 단계; 상기 기판의 표면층으로부터 상기 SIW 필터가 형성된 기판의 내부층으로 비아를 형성하는 단계; 상기 기판의 내부층에 형성된 비아의 일단부로부터 상기 SIW 필터의 일단부에 보정회로를 형성하는 단계; 상기 SIW 필터의 상부층으로 반도체 칩을 실장하는 단계를 포함하고, 상기 보정회로는 상기 비아에 의해 야기되는 인덕턴스 성분의 왜곡을 보정하도록 적응되고, 상기 비아에 의해 야기되는 인덕턴스 성분의 왜곡 보정은, 상기 보정 회로의 양단에 형성되는 하나의 시리즈(series) 선로와 상기 시리즈 선로로부터 측방향으로 돌출한 두 개의 션트 스터브 라인을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면 집적형 도파관 필터를 기판의 내부층에 포함하는 전기소자의 제조 방법
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삭제
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패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 삼성전기(주) 부품소재개발사업 밀리미터파 대역 세라믹 패키징 기술