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하기 식 (1)로 나타나는 구조 단위 20~50 몰%, 하기 식 (2)로 나타나는 구조 단위 40~25 몰%, 및 하기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위 40~25 몰%로 이루어지는 폴리에스테르 수지:(1) －O－Ar1－CO－(2) －OC－Ar2－CO－(3) －HN－Ar3－NH－상기 식에서, Ar1은 2,6－나프탈렌 또는 4,4’－비페닐렌이고, Ar2는 하기 화학식 1로 나타나고,003c#화학식 1003e#Ar3는 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나임
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제1항에 있어서, 상기 식 (1)에서 Ar1은 2,6-나프탈렌이고, 상기 식 (2)와 (3)에서 Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로 R이 H인 화학식 1의 골격 구조를 가지는 것인 폴리에스테르 수지
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제1항에 있어서, 상기 식 (1)로 나타나는 구조 단위 30~40 몰%, 상기 식 (2)로 나타나는 구조 단위 35~30 몰%, 및 상기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위 35~30 몰%로 이루어지는 폴리에스테르 수지
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제1항에 있어서, 상기 식 (2)로 나타나는 구조 단위와 상기 식 (3)으로 나타나는 구조 단위가 등량으로 포함되는 폴리에스테르 수지
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 수지는 반도체 패키지 기판의 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리에스테르 수지
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6
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 폴리에스테르 수지를 지지기판 상에 도포하여 얻어진 반도체 패키지 기판용 필름
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7
제6항에 있어서, 상기 필름은 상기 폴리에스테르 수지에 실리카, 알루미나, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 카올린, 탄산칼슘, 인산 칼슘, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 필러, 및 커플링제, 침강 방지제, 자외선 흡수제, 열안정제, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 첨가제를 혼합하여 얻어진 수지 조성물을 유기용매에 용해시키고, 지지기판 상에 도포하여 얻어지는 것인 반도체 패키지 기판용 필름
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8
제7항에 있어서, 상기 수지 조성물을 지지기판 상에 테이프 캐스팅법에 의하여 도포하는 것인 반도체 패키지 기판용 필름
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제6항에 있어서, 상기 필름은 5 내지 500μm의 두께를 가지는 것인 반도체 패키지 기판용 필름
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