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피사체를 통과한 엑스선(X-ray)이 입사되면, 전하를 발생시키는 광전도체(Photoconductor);각 픽셀당 구비되며, 발생된 상기 전하를 저장하는 커패시터; 및상기 각 픽셀당 구비되며, 게이트에 신호가 인가되면, 저장된 상기 전하를 출력하며, 산화물 반도체로 구성되는 산화물 박막 트랜지스터를 포함하는 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널
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제1항에 있어서, 상기 광전도체는,비정질 Se, HgI2, PbI2 및 CdZnTe 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터 위에 증착되는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널
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제1항에 있어서, 상기 산화물 박막 트랜지스터의 전극은,금속 전극 또는 산화물 기반 투명 전극인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널
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제1항에 있어서, 상기 산화물 박막 트랜지스터의 반도체 채널층은,ZnO 기반의 산화물 반도체를 포함하는 산화물 반도체로 구성되는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널
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유리기판 위에 하부 게이트 구조의 박막 트랜지스터(Bottom-gate TFT)의 게이트 전극을 증착하고, 원하는 형상으로 패터닝하는 단계;상기 유리기판 위에 상기 게이트 전극과 소정간격 이격되도록, 커패시터의 하부 전극을 증착하고, 원하는 형상으로 패터닝하는 단계;상기 게이트 전극의 상측에 상기 게이트 전극을 덮도록 유전층을 증착하는 단계;상기 유전층 위에 산화물 반도체를 증착하고, 기설정된 고온에서 열처리한 후, 원하는 형상으로 패터닝하여 채널층을 구성하는 단계;상기 산화물 반도체의 양측에 소스 전극(404)과 드레인 전극(403)을 증착하고, 원하는 형상으로 패터닝하는 단계;상기 커패시터의 하부 전극에 대응하는 유전층의 소정위치에 상기 커패시터의 상부 전극을 증착한 후, 원하는 형상으로 패터닝하는 단계;상기 소스 전극, 상기 산화물 반도체 및 상기 드레인 전극 위에 픽셀전극을 형성하는 단계; 및기설정된 고온에서 상기 픽셀전극 위에 광전도체를 증착하고, 상기 광전도체의 상부 전극을 증착하는 단계 를 포함하는 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널 제조 방법
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제5항에 있어서,패터닝 및 식각 공정으로 상기 유전층을 통과하는 비아를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 비아를 통해 상기 커패시터의 상부 전극과 상기 소스 전극 또는 드레인 전극을 상호 연결하는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 게이트 전극을 증착하는 단계, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 증착하는 단계 및 상기 커패시터의 상부 전극을 증착하는 단계는,금속 전극 또는 산화물 기반 투명 전극을 이용하는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 채널층은,RF 마그네트론 스퍼터링(Sputtering), RF DC 스터터링 또는, 용액 코팅 공정을 통해 구성되는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 채널층은,ZnO 기반의 산화물 반도체를 포함하는 산화물 반도체로 구성되는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 유전층을 증착하는 단계는,20 내지 200nm의 두께로 SiO2, Al2O3, Si3N4 중 적어도 하나의 물질을 증착하는 단계를 포함하는 것인 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널 제조 방법
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