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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자 제작 방법에 있어서,
기판 상에 광전 전환의 역할을 수행하는 비정질 특성을 가지는 비정질 실리콘층을 형성하는 과정과,
상기 비정질 실리콘층 상에 무전해 도금 방법으로 메탈 촉매층을 형성하는 과정과,
상기 메탈 촉매층이 형성된 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 메탈 촉매층을 형성하는 과정은
상기 비정질 실리콘층을 초순수와 염산 및 니켈 촉매를 혼합한 니켈 촉매제에 디핑한 후 팔라듐을 흡착하는 과정과,
팔라듐이 흡착된 비정질 실리콘층에 니켈 닷(dot) 및 니켈 박막 중 적어도 하나를 증착하는 과정과,
증착된 니켈 닷 또는 니켈 박막 중 적어도 하나를 이용하여 치환 반응을 통해 Au 박막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 니켈 닷 및 니켈 박막 중 적어도 하나를 증착하는 과정은 차아인산 나트륨, NH4Oh, 및 Ni 이온 용액이 혼합된 도금조에서 니켈 닷 및 니켈 박막 중 적어도 하나를 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자 제작 방법
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자 제작 방법에 있어서,
기판 상에 광전 전환의 역할을 수행하는 비정질 특성을 가지는 비정질 실리콘층을 형성하는 과정과,
상기 비정질 실리콘층 상에 무전해 도금 방법으로 메탈 촉매층을 형성하는 과정과,
상기 메탈 촉매층이 형성된 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 비정질 실리콘층은
P 층, I 층 및 N 층이 순차로 적층된 적어도 하나의 PIN 접합 구조를 가지며,
상기 P 층은
SiH4 가스와 B2H6를 1 : 0
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자 제작 방법에 있어서,
기판 상에 광전 전환의 역할을 수행하는 비정질 특성을 가지는 비정질 실리콘층을 형성하는 과정과,
상기 비정질 실리콘층 상에 무전해 도금 방법으로 메탈 촉매층을 형성하는 과정과,
상기 메탈 촉매층이 형성된 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 비정질 실리콘층은
P 층, I 층 및 N 층이 순차로 적층된 적어도 하나의 PIN 접합 구조를 가지며,
상기 I 층은
SiH4 가스를 주입하여 증착함을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자 제작 방법
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자 제작 방법에 있어서,
기판 상에 광전 전환의 역할을 수행하는 비정질 특성을 가지는 비정질 실리콘층을 형성하는 과정과,
상기 비정질 실리콘층 상에 무전해 도금 방법으로 메탈 촉매층을 형성하는 과정과,
상기 메탈 촉매층이 형성된 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 비정질 실리콘층은
P 층, I 층 및 N 층이 순차로 적층된 적어도 하나의 PIN 접합 구조를 가지며,
상기 N 층은
SiH4 가스가 1일때 PH3 가스가 적어도 0
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제1항, 제3항, 제4항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비정질 실리콘층은 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 형성함을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자 제작 방법
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제1항, 제3항, 제4항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다결정 실리콘층은 1um 이하의 결정립 크기를 갖도록 형성함을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자 제작 방법
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제1항, 제3항, 제4항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열처리는 500 ℃ 이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자 제작 방법
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자에 있어서,
반사 방지막과 투명 전극이 증착된 기판;
상기 기판 상에 형성되며 비정질의 실리콘층이 무전해 도금 방법을 이용하여 상기 비정질의 실리콘층 상에 증착된 메탈 촉매층이 촉매로 작용해 결정화된 다결정 실리콘층; 및
상기 다결정 실리콘층 상에 형성되는 전극;을 포함하고,
상기 비정질 실리콘층은
P 층, I 층 및 N 층이 순차로 적층된 적어도 하나의 PIN 접합 구조를 가지며,
상기 P 층은
SiH4 가스와 B2H6를 1 : 0
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제11항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은
상기 기판 상에 비정질 실리콘층을 증착하고, 증착된 비정질 실리콘 상에 메탈 촉매층을 형성한 후, 메탈 촉매층이 형성된 비정질 실리콘층을 열처리하여 형성함을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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13
제11항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층은
PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 형성함을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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삭제
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삭제
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자에 있어서,
반사 방지막과 투명 전극이 증착된 기판;
상기 기판 상에 형성되며 비정질의 실리콘층이 무전해 도금 방법을 이용하여 상기 비정질의 실리콘층 상에 증착된 메탈 촉매층이 촉매로 작용해 결정화된 다결정 실리콘층; 및
상기 다결정 실리콘층 상에 형성되는 전극;을 포함하고,
상기 비정질 실리콘층은
P 층, I 층 및 N 층이 순차로 적층된 적어도 하나의 PIN 접합 구조를 가지며,
상기 I 층은
SiH4 가스를 주입하여 증착함을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자에 있어서,
반사 방지막과 투명 전극이 증착된 기판;
상기 기판 상에 형성되며 비정질의 실리콘층이 무전해 도금 방법을 이용하여 상기 비정질의 실리콘층 상에 증착된 메탈 촉매층이 촉매로 작용해 결정화된 다결정 실리콘층; 및
상기 다결정 실리콘층 상에 형성되는 전극;을 포함하고,
상기 비정질 실리콘층은
P 층, I 층 및 N 층이 순차로 적층된 적어도 하나의 PIN 접합 구조를 가지며,
상기 N 층은
SiH4 가스가 1일때 PH3 가스가 적어도 0
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실리콘 박막을 가지는 태양 전지 소자에 있어서,
반사 방지막과 투명 전극이 증착된 기판;
상기 기판 상에 형성되며 비정질의 실리콘층이 무전해 도금 방법을 이용하여 상기 비정질의 실리콘층 상에 증착된 메탈 촉매층이 촉매로 작용해 결정화된 다결정 실리콘층; 및
상기 다결정 실리콘층 상에 형성되는 전극;을 포함하고,
상기 무전해 도금 방법은 상기 비정질 실리콘층을 초순수와 염산 및 니켈 촉매를 혼합한 니켈 촉매제에 디핑한 후 팔라듐을 흡착하고, 니켈 닷(dot) 및 니켈 박막 중 적어도 하나를 증착한 후, 증착된 니켈 닷 또는 니켈 박막 중 적어도 하나를 이용하여 치환 반응을 통해 Au 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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제18항에 있어서, 상기 니켈 닷 및 니켈 박막 중 적어도 하나를 증착하는 방법은 차아인산 나트륨, NH4Oh, 및 Ni 이온 용액이 혼합된 도금조에서 니켈 닷 및 니켈 박막 중 적어도 하나를 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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제11항 내지 제13항 및 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다결정 실리콘층은, 1um 이하의 결정립 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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제12항에 있어서, 상기 열처리는
500 ℃ 이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지 소자
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